[发明专利]数据存储系统及基于该系统的数据读写方法

说明书

本发明涉及一种数据存储系统及基于该系统的数据读写方法，其中所述的系统包括：Flash模块，其包括无差别的第一数据存储区及第二数据存储区，用以每次上电进行数据读取和写入后，交替存储更新后的数据；数据变化记录区，用以在工作进程间歇期记录SRAM模块中的数据变化；地址指针区；SRAM模块，其包括数据区，用以在正常工作时，进行数据的读取与写入；标志位，用以表示该地址的数据是否改变。采用该种结构的数据存储系统及基于该系统的数据读写方法，与现有技术相比，不存在工艺技术壁垒，在国内具备大规模生产的可行性，并具备低成本优势，不需要外接大容量电容或电池，降低了外围电路的复杂性和成本，有利于实现方案的低成本和微型化。

技术领域

本发明涉及数据处理技术领域，尤其涉及存储系统，具体是指一种数据存储系统及基于该系统的数据读写方法。

背景技术

传统存储技术中，SRAM存储器具有快速读写特性，但不具备非易失性；Flash或EEPROM具备非易失性，读取速度也较快，但写入速度通常较慢。

目前的数据存储和读取数据的常用的手段有如下几点：

现有技术1)采用铁电存储器(FRAM)作为存储单元，与Flash和EEPROM等传统的非易失性内存技术比较，铁电存储器具有更高的写入速度，可以同时满足。

现有技术1)的缺点：FRAM的价格昂贵，不利于低成本方案的实现，而且国内多数代工厂不具备铁电工艺。

现有技术2)利用EEPROM/Flash和SRAM结合的技术手段，上电时将EEPROM的数据载入到SRAM，有电工作时，SRAM中的数据参与读写过程，下电时将SRAM中的全部数据回写入EEPROM/Flash。

现有技术2)的缺点：检测到下电后启动回写过程，由于数据全部回写，故时间较长，耗电较多，为了满足回写所需的电量，需要外接大容量电容或电池，增加了外围电路的复杂性和成本，不利于低成本方案的实现，也不利于方案的微型化。而且，电池的使用寿命是有限的。

发明内容

本发明的目的是克服了上述现有技术的缺点，提供了一种不需要外接大容量电容或电池、降低了外围电路的复杂性和成本的数据存储系统及基于该系统的数据读写方法。

为了实现上述目的，本发明的数据存储系统及基于该系统的数据读写方法具有如下构成：

该数据存储系统，其主要特点是，所述的系统包括：

Flash模块，其包括：

第一数据存储区以及与所述的第一数据存储区相同的第二数据存储区，用以每次上电进行数据读取和写入后，交替存储更新后的数据；

数据变化记录区，用以在工作进程间歇期，检测SRAM模块的数据区中的某地址的标志位是否为0，如果为0，则将标志位为0的地址内存放的数据及该地址均写入该数据变化记录区；

地址指针区，用以在第一数据存储区更新数据后，改写地址指针区以使得地址指针区的地址指向第二数据存储区；以及在第二数据存储区更新数据后，改写地址指针区以使得地址指针区的地址指向第一数据存储区；

SRAM模块，其包括：

数据区，用以在正常工作时，进行数据的读取与写入；

标志位，用以每次向数据区的某地址写入数据时，系统比较该地址中原有数据与刚写入的数据是否相同，如果该地址中原有数据与刚写入的数据不相同，则将标志位修改为0；如果该地址中原有数据与刚写入的数据相同，则将标志位修改为1。

本发明还涉及一种数据存储及读取的方法，其主要特点是，所述的方法包括：

(1)系统上电后，根据所述的地址指针区的内容选择相应的数据存储区的数据加载至SRAM模块的数据区；