[发明专利]一种碳化硅材料上制备栅介质的方法有效
| 申请号： | 201511029195.3 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105448742B | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 刘丽蓉 | 申请（专利权）人： | 东莞市义仁汽车租赁有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 广东莞信律师事务所 44332 | 代理人： | 吴炳贤 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市东城*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 材料 制备 介质 方法 | ||
1.一种在碳化硅上制备栅介质材料的方法，所述方法如下：
(1)在碳化硅表面通过在N2O环境中退火的方式生长1-10纳米厚氧化硅，预定温度为1000-1300℃；
(2)然后采用原子层沉积的方法在步骤(1)完成的衬底上制备三氧化二铝介质薄膜1个周期，前躯体采用三甲基铝和水；再采用原子层沉积的方法制备三氧化二铝介质薄膜1个周期，前躯体采用三甲基铝和臭氧；最后采用氮气等离子体对介质表面进行等离子吹扫；
(3)按照步骤(2)循环5-10次；
(4)最后将生长好栅介质的碳化硅片在N2O环境下退火30秒到2分钟，预定温度为300-900℃。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法的特征在于步骤(1)中采用在N2O环境中退火形成氧化硅材料，预定温度至少为1200度。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法的特征在于步骤(1)中采用在N2O环境中退火形成氧化硅材料，初始气体驻留的时间为50-60sec。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法的特征在于步骤(1)中采用在N2O环境中退火形成氧化硅材料，总的气体驻留的时间为80-180sec。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法的特征在于步骤(2)中氧化铝介质的生长是在步骤(1)完成后立刻转入原子层沉积系统进行生长的，时间间隔不超过30sec，原子层沉积温度为300度。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法的特征在于步骤(2)中氧化铝介质的生长过程中氮气等离子体的吹扫的时间为1分钟，产生等离子体的射频功率为10-20瓦。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法的特征在于步骤(4)中栅介质的退火时间为1分钟，温度为870℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞市义仁汽车租赁有限公司，未经东莞市义仁汽车租赁有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201511029195.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体器件及其制备方法、电子装置
- 下一篇：晶体管的形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
