[发明专利]移位寄存器和显示装置有效
申请号: | 201511027073.0 | 申请日: | 2015-12-31 |
公开(公告)号: | CN106935168B | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 詹建廷 | 申请(专利权)人: | 瀚宇彩晶股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20;G09G3/36 |
代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人: | 王正茂;丛芳 |
地址: | 中国台湾台北市内*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 移位寄存器 显示装置 | ||
1.一种移位寄存器,其特征在于,所述移位寄存器包含:
预充电单元,所述预充电单元用以接收第一输入信号和第二输入信号,且用以根据所述第一输入信号和所述第二输入信号而由第一节点输出预充电信号,其中所述预充电单元包含:
第一电晶体,其闸极和其第一源汲极接收所述第一输入信号,且其第二源汲极耦接所述第一节点并输出所述预充电信号;以及
第二电晶体,其闸极和其第一源汲极接收所述第二输入信号,且其第二源汲极耦接所述第一电晶体的第二源汲极;
上拉单元,其耦接所述预充电单元,所述上拉单元用以根据所述预充电信号、第一时钟信号和第二时钟信号而由第二节点输出扫描信号,其中所述上拉单元包含:
第三电晶体,其闸极接收所述预充电信号,其第一源汲极接收所述第一时钟信号,且其第二源汲极耦接所述第二节点并输出所述扫描信号;
电容,其第一端耦接所述第三电晶体的闸极,且其第二端耦接所述第三电晶体的第二源汲极;以及
第四电晶体,其闸极接收所述第二时钟信号,其第一源汲极耦接参考电位,且其第二源汲极耦接所述第三电晶体的闸极;
第一下拉单元,其耦接所述预充电单元和所述上拉单元,所述第一下拉单元用以接收所述预充电信号、第一下拉控制信号和第二下拉控制信号,且用以根据所述预充电信号、所述第一下拉控制信号和所述第二下拉控制信号来控制是否将所述扫描信号下拉至所述参考电位;以及
第二下拉单元,其耦接所述预充电单元和所述上拉单元,所述第二下拉单元用以接收所述预充电信号、所述第一下拉控制信号和所述第二下拉控制信号,且用以根据所述预充电信号、所述第一下拉控制信号和所述第二下拉控制信号来控制是否将所述扫描信号下拉至所述参考电位。
2.如权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,所述第一输入信号是起始信号,且所述第二输入信号是对应所述移位寄存器的下一级移位寄存器所输出的扫描信号。
3.如权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,所述第一输入信号是对应所述移位寄存器的上一级移位寄存器所输出的扫描信号,且所述第二输入信号是对应所述移位寄存器的下一级移位寄存器所输出的扫描信号。
4.如权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,所述第一输入信号是对应所述移位寄存器的上一级移位寄存器所输出的扫描信号,且所述第二输入信号是结束信号。
5.如权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,所述第一时钟信号在第一时间点时由高准位转换至低准位,所述第二时钟信号在所述第一时间点后的第二时间点时由低准位转换至高准位,所述第二时间点与所述第一时间点相差两个数据写入时间。
6.如权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,所述第一下拉单元包含:
第五电晶体,其闸极和其第一源汲极输入所述第一下拉控制信号;
第六电晶体,其闸极输入所述第二下拉控制信号,其第一源汲极耦接所述参考电位,且其第二源汲极耦接所述第五电晶体的第二源汲极;
第七电晶体,其闸极耦接所述第一节点,其第一源汲极耦接所述参考电位,且其第二源汲极耦接所述第五电晶体的第二源汲极;
第八电晶体,其闸极耦接所述第七电晶体的第二源汲极,其第一源汲极耦接所述参考电位,且其第二源汲极耦接所述第一节点;以及
第九电晶体,其闸极耦接所述第七电晶体的第二源汲极,其第一源汲极耦接所述参考电位,且其第二源汲极耦接所述第二节点。
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