[发明专利]一种硅片边缘芯片的保护方法及光刻曝光装置在审
| 申请号： | 201511025794.8 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106935482A | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 张家锦;章磊 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备（集团）股份有限公司;上海微高精密机械工程有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 边缘 芯片 保护 方法 光刻 曝光 装置 | ||
1.一种硅片边缘芯片的保护方法，其特征在于，包括：
步骤1.曝光前，在硅片表面依次涂覆金属种子层和负性光刻胶；
步骤2.曝光时，通过掩模版在硅片上形成集成电路图形区，通过遮光件在硅片边缘形成边缘保护区，所述遮光件与所述掩模版之间设置有光路通道；通过所述光路通道在所述集成电路图形区和边缘保护区之间形成边缘缓冲区；
步骤3.曝光后，对硅片进行显影处理，去除边缘保护区的负性光刻胶。
2.根据权利要求1所述的光刻曝光装置，其特征在于，所述光路通道环绕在掩模版外围。
3.根据权利要求1所述的光刻曝光装置，其特征在于，所述边缘缓冲区的形状为圆环或正多边环形。
4.根据权利要求1所述的光刻曝光装置，其特征在于，所述负性光刻胶的分辨率大于等于2mm。
5.根据权利要求1所述的光刻曝光装置，其特征在于，所述金属种子层采用铜种子层或合金种子层。
6.根据权利要求1所述的光刻曝光装置，其特征在于，所述掩模版和遮光件处于同一水平位置。
7.一种光刻曝光装置，包括掩模版和遮光件，所述掩模版对准硅片上的曝光位置，在曝光时形成集成电路图形区；所述遮光件对准硅片上的边缘位置，在曝光时形成边缘保护区；其特征在于，所述掩模版和遮光件之间设有光路通道，在曝光时形成边缘缓冲区。
8.根据权利要求7所述的光刻曝光装置，其特征在于，所述光路通道环绕在掩模版外围。
9.根据权利要求7所述的光刻曝光装置，其特征在于，所述边缘保护区和边缘缓冲区的宽度之和小于等于5mm。
10.根据权利要求7所述的光刻曝光装置，其特征在于，所述边缘保护区的宽度大于等于3mm。
11.根据权利要求7所述的光刻曝光装置，其特征在于，所述边缘缓冲区的宽度为1～2mm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
