[发明专利]一种减少蒸发镀膜设备中衬底或其上的材料受烘烤升温影响的装置及应用

权利要求书

1.一种减少蒸发镀膜设备中衬底或其上的材料受烘烤升温影响的装置，其特征在于，包括蒸发腔室、蒸发源、样品架，所述蒸发源、所述样品架设置在所述蒸发腔室内，所述样品架上设有套筒，所述套筒上下开口，所述套筒的材质为不透明的金属或非金属，所述套筒的内壁的反射率不大于40％。

2.根据权利要求1所述的一种减少蒸发镀膜设备中衬底或其上的材料受烘烤升温影响的装置，其特征在于，所述套筒的横截面为圆形、多边形、闭合曲线中的任一种。

3.根据权利要求1所述的一种减少蒸发镀膜设备中衬底或其上的材料受烘烤升温影响的装置，其特征在于，所述套筒的材质为铁、铝、铜、镍、锡、铅、锌、不锈钢、钢中任一种或其中几种的合金。

4.根据权利要求1所述的一种减少蒸发镀膜设备中衬底或其上的材料受烘烤升温影响的装置，其特征在于，所述套筒的材质为陶瓷、石墨、聚酰亚胺、特氟龙中的任一种。

5.根据权利要求1所述的一种减少蒸发镀膜设备中衬底或其上的材料受烘烤升温影响的装置，其特征在于，所述蒸发源设置在所述蒸发腔室内的下部，衬底设置在与所述蒸发源位置相对的所述蒸发腔室内的上部，所述套筒的高度x满足d为所述套筒横截面上距离最大的两个点之间的距离，h为所述蒸发源到所述衬底的距离，l为所述蒸发源到所述蒸发腔室内壁的最短距离。

6.根据权利要求1所述的一种减少蒸发镀膜设备中衬底或其上的材料受烘烤升温影响的装置，其特征在于，所述材料是指光刻胶、有机半导体、低熔点无机物、低沸点无机物中的任一种，所述低熔点或低沸点是指熔点或沸点低于200℃。

7.权利要求1-6任一所述的一种减少蒸发镀膜设备中衬底或其上的材料受烘烤升温影响的装置在蒸发镀膜中的应用，其特征在于，具体步骤包括：

(1)将衬底固定在所述蒸发腔室内上部样品架上，所述衬底的固定位置与所述蒸发源的位置相对；

(2)将所述套筒套住所述衬底，所述套筒开口朝向所述蒸发源，并且所述套筒不会遮挡所述蒸发源上任意一点到所述衬底上任意一点的连线；

(3)关闭所述蒸发腔室腔门，抽真空，加热所述蒸发源，开始蒸发，蒸发过程中所述衬底受到所述套筒的保护，经由所述蒸发腔室内壁反射的热辐射受到所述套筒阻挡无法到达所述衬底；

(4)蒸发完成后给所述蒸发腔室充气，取出所述套筒和所述衬底。