[发明专利]一种折射率检测方法及检测装置有效

专利信息
申请号: 201511025345.3 申请日: 2015-12-30
公开(公告)号: CN105628650B 公开(公告)日: 2018-07-24
发明(设计)人: 唐婷婷;秦俊;毕磊;邓龙江 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G01N21/41 分类号: G01N21/41
代理公司: 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 代理人: 刘勋
地址: 610000 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 折射率 检测 方法 装置
【说明书】:

一种折射率检测方法及检测装置,涉及光波导传感技术领域。本发明的检测方法为:分别测量参考物和待测物的MOGH位移,然后计算二者的MOGH位移之差,得到MOGH位移差值和因为待测区域的填充物替换产生的折射率差值的函数关系式,进而得到待测物的折射率。本发明的有益效果是,平板波导制作工艺简单、可操作性强、成本较低;可以选择不同的波导材料,设计不同波段的高灵敏度传感器;通过改变磁场的方向可以得到更加灵敏的古斯汉森位移,这种方法同样适用于其他的磁光波导传感器。

技术领域

本发明涉及光波导传感技术领域。

背景技术

折射率探测器是十分常见的一种针对折射率变化的传感器,广泛应用于集成光学、生物传感和化学传感等领域。折射率探测一般采用表面等离子体谐振(surfaceplasmon rensonance,SPR)的方式探测,通过测量反射光的反射率,其精度可以达到10-4量级。然而在一些探测精度要求很高的领域,这类传感器的灵敏度还不够。

磁光材料是具有磁光(Magneto-Optic,MO)效应的一类功能磁性材料,这类材料在受到磁场或磁矩的作用时,物质的电磁特性会发生变化,因而使通过该物质的光的传输特性也随之发生变化。将具有磁光效应的磁光材料加入SPR结构中可以进一步提高折射率探测器的灵敏度,可达普通SPR传感器的两倍,甚至提高一个量级。

古斯汉森(GH)位移指的是在一束有限宽度的入射光在界面发生全反射时其反射光束强度的最大值与入射光强度的最大值之间的横向偏移。通过增强GH位移可以设计和制作新型高灵敏度的传感器、滤波器、调制器、偏振器和超棱镜。因此将GH位移效应与磁光材料结合在一起,研究磁光波导中的GH位移增强效应,并利用受磁场影响的GH位移(MOGH)设计具有高灵敏度的折射率传感器,为这类传感器的设计和制作的带来了一种崭新的思路。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是,提供一种高灵敏度的折射率检测方法和检测装置。

本发明提供的折射率检测方法包括下述步骤:

1)在棱镜、参照物、磁光材料和衬底组成的测量结构中,依据此公式测量计算初始n20时的MOGH:

2)将参照物替换为待测物,依据此公式计算待测n2的MOGH:

3)计算两次测量结果的差值:

4)设置一个函数表达两次测量得到的MOGH值之差ΔLvar与折射率变化Δn2的关系:

5)反函数得出在测得ΔLvar大小的时候计算Δn2的表达式:

Δn2=f-1(ΔLvar)

6)计算待测物的折射率:

n2=n20+Δn2=n20+f-1(ΔLvar)

前述各步骤中,k0为真空中的波矢,n1为棱镜的折射率,θ为入射角,

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