[发明专利]一种隔直电路和一种开关电路

说明书

本发明涉及一种隔直电路和一种开关电路。所述隔直电路用于隔直直流偏置，所述隔直电路包括：串联的第一MOS管、第一电阻和第二电阻，以及与所述第一MOS管并联的第一电容，所述第一MOS管的栅极与所述第一电阻的第一端耦接，源极与所述隔直电路的输入端、所述第一电容的第一端耦接，漏极和所述第一电容的第二端耦接至所述隔直电路的输出端，所述第二电阻的第一端与所述第一MOS管的衬底端耦接，第二端接地，所述第一电阻的第二端耦接至第一控制信号，当所述第一控制信号为电源信号时，所述第一MOS管处于导通状态。本发明在保持高功率线性度不退化和结构简单的基础上，减小了电路面积，降低了插入损耗的退化程度。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种隔直电路和一种开关电路。

背景技术

传统的开关电路，比如天线开关电路，采用正负双电源电压来驱动控制开关，从而获得较好的高功率线性度。然而，负电源电压的产生电路结构较为复杂、功耗较大，同时产生噪声等干扰影响开关的性能。

随着电路技术的发展，开关电路可以仅采用正电源电压来驱动控制开关。图1示出了现有技术中仅采用正电源电压的开关电路的结构示意图。其驱动方式与利用正负双电源电压的开关电路类似，即高功率线性度保持不变，并且结构相对简单、功耗较低。如图1所示，该电路通过引进隔直电容使得在只有正电源电压的条件下仍然可以驱动开关。然而，隔直电容会带来较大程度的插入损耗退化。若想减小插入损耗的退化程度，隔直电容需要具有较大的电容值。图2示出了传统的双电源电压的开关电路中插入损耗和引入隔直电容的单电源电压的开关电路中插入损耗的对比曲线图。可以看到，引入隔直电容的电路中插入损耗存在退化现象，并且，隔直电容值越小，插入损耗退化程度越严重。现有技术中，为了避免较大程度的插入损耗，需要通过增大隔直电容的面积来增大电容值，从而导致电路面积变大，成本增加。

发明内容

本发明技术方案所解决的技术问题为：如何在保持高功率线性度不退化和结构简单的基础上，减小电路面积，并且降低插入损耗的退化程度。

为了解决上述技术问题，本发明技术方案提供了一种隔直电路，用于隔直直流偏置，所述隔直电路包括串联的第一MOS管、第一电阻和第二电阻，以及与所述第一MOS管并联的电容，所述第一MOS管的栅极与所述第一电阻的第一端耦接，源极与所述隔直电路的输入端、所述电容的第一端耦接，漏极和所述电容的第二端耦接至所述隔直电路的输出端，所述第二电阻的第一端与所述第一MOS管的衬底端耦接，第二端接地，所述第一电阻的第二端耦接至第一控制信号，当所述第一控制信号为电源信号时，所述第一MOS管处于导通状态。

可选地，当所述第一控制信号为接地信号时，所述第一MOS管处于断开状态。

可选地，所述隔直电路还包括：第三电阻以及串联的第二MOS管、第四电阻和第五电阻，所述第二MOS管的栅极与所述第四电阻的第一端耦接，源极与所述第一MOS管的漏极耦接，漏极与所述隔直电路的输出端耦接，所述第五电阻的第一端与所述第二MOS管的衬底端耦接，第二端接地，所述第四电阻的第二端耦接至所述第一控制信号，所述第三电阻的第一端耦接至所述第二MOS管的源极，第二端耦接至第二控制信号，当所述第一MOS管和所述第二MOS管处于导通状态时，所述第二控制信号为接地信号。

可选地，当所述第一控制信号为接地信号、所述第二控制信号为电源信号时，所述第一MOS管和所述第二MOS管处于断开状态。

可选地，所述电容的电容值与所述第一MOS管的关断电容值的比值大于8。

可选地，所述电容的电容值与所述第二MOS管的关断电容值的比值大于8。

可选地，所述MOS管是NMOS管。

本发明技术方案还提供了一种开关电路，包括：两个所述隔直电路；以及开关器件电路，所述开关器件电路的输入端与第一所述隔直电路的输出端耦接，所述开关器件电路的输出端与第二所述隔直电路的输出端耦接。