[发明专利]CdS基肖特基型探测器芯片钝化膜的制备方法在审
| 申请号： | 201511018984.7 | 申请日： | 2015-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN105576078A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 李忠贺 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/56 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 田卫平 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cds 基肖特基型 探测器 芯片 钝化 制备 方法 | ||
1.一种CdS基肖特基型探测器芯片钝化膜的制备方法，其特征在于，采 用ZnS为材料，通过磁控溅射工艺设备制备CdS基肖特基型探测器芯片钝化 膜。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射工艺设备 的参数设置为：
真空度a：a≤3.0×10-6torr；温度：30℃～50℃；射频功率：120～180W。
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射工艺设备 的参数进一步设置为：
预溅射时间：300～500s，旋转：10～40％，Ar气流量：20～40sccm，溅射 速率21～22nm/min，降温时间b：b≥30min。
4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射工艺设备 的参数设置为：
真空度a：3.0×10-6torr；温度：40℃；预溅射时间：400s，射频功率： 120～180W，旋转：20％，Ar气流量：20sccm，溅射速率21～22nm/min，降温 时间b：30min。
5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射工艺设备 的参数设置为：
真空度a：3.0×10-6torr；温度：40℃；预溅射时间：400s，射频功率：150W， 旋转：20％，Ar气流量：20sccm，溅射速率21.5nm/min，降温时间b：30min。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
