[发明专利]一种多相复合永磁体的制备方法

权利要求书

1.一种多相复合永磁体的制备方法，其特征在于，采用基于界面反应的界面磁性调控技术结合放电等离子烧结和热变形工艺制备多相复合永磁体；其步骤为：

S1：分别制备NdFeB合金粉末和SmCo合金粉末；

S2：将纳米Co粉加入NdFeB合金粉末中球磨混合至均匀，获得NdFeB/Co复合粉末；

S3：将纳米PrH₃粉加入SmCo合金粉末中球磨混合至均匀，获得SmCo/PrH₃复合粉末；

S4：将步骤S2中所述NdFeB/Co复合粉末和步骤S3中所述SmCo/PrH₃复合粉末按比例进行混合，得到混合粉末，然后将混合粉末装入模具中进行放电等离子烧结制得多相复合磁体；

S5：将步骤S4中所述多相复合磁体进行热变形，获得具有磁织构的多相复合永磁体。

2.根据权利要求1所述的一种多相复合永磁体的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述NdFeB合金粉末制备过程如下：按照NdFeB合金成分配制原料，并进行真空熔炼，快淬制成NdFeB合金快淬带；将NdFeB合金快淬带进行粗破碎，制成NdFeB合金粉末。

3.根据权利要求2所述的一种多相复合永磁体的制备方法，其特征在于，所述的NdFeB合金成分的原子百分比为Nd_aR_bFe_100-a-b-c-dB_cM_d，其中12.5≤a+b≤13.5，0.1≤b≤4，5≤c≤6，0.1≤d≤4，R为Pr、Dy、Tb、Gd、Ho元素中的一种或几种，M为Co、Ni、Al、Ga、Cu、Sn、Mg、Zn、Si、Nb、Zr、Hf、Ti、W、V元素中一种或几种。

4.根据权利要求1所述的一种多相复合永磁体的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述SmCo合金粉末制备过程如下：按照SmCo合金成分配制原料，并进行真空熔炼，快淬制成SmCo合金快淬带；将SmCo合金快淬带进行粗破碎，制成SmCo合金粉末。

5.根据权利要求4所述的一种多相复合永磁体的制备方法，其特征在于，所述的SmCo合金为SmCo₅合金。

6.根据权利要求1所述的一种多相复合永磁体的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述纳米Co粉的平均粒径为10-100nm；纳米Co粉的添加量为NdFeB/Co混合粉末总重量的1％-10％。

7.根据权利要求1所述的一种多相复合永磁体的制备方法，其特征在于，步骤S3中所述纳米PrH₃粉的平均粒径为10-100nm。

8.根据权利要求1所述的一种多相复合永磁体的制备方法，其特征在于，步骤S4中所述的NdFeB/Co与SmCo/PrH₃两种复合粉末混合的质量比例为1:9-9:1；纳米PrH₃粉与纳米Co粉在所述混合粉末中的质量比为1:2.1。

9.根据权利要求1所述的一种多相复合永磁体的制备方法，其特征在于，步骤S4中所述的放电等离子烧结工艺参数为：烧结温度650-1000℃，压力30-500Mpa，升温速率30-100℃/min，保温时间3-10min。

10.根据权利要求1所述的一种多相复合永磁体的制备方法，其特征在于，步骤S5中所述的热变形工艺参数为：温度650-1000℃，压力50-300MPa。