[发明专利]模拟太阳光的有机电致发光器件及其制备方法有效
| 申请号: | 201511017376.4 | 申请日: | 2015-12-28 |
| 公开(公告)号: | CN105449109B | 公开(公告)日: | 2017-07-11 |
| 发明(设计)人: | 罗东向;刘佰全;兰林锋;范林勇;蒋春旭;刘群兴;杨林;徐华伟;陈玉明 | 申请(专利权)人: | 工业和信息化部电子第五研究所;华南理工大学 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人: | 李海恬,万志香 |
| 地址: | 510610 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 模拟 太阳光 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种模拟太阳光的有机电致发光器件,包括基板、阳极、阴极和介于所述阳极与所述阴极之间的有机功能层;其特征在于,所述有机功能层包括蓝色荧光层、磷光层和间隔层,所述间隔层将蓝色荧光层与磷光层隔开;所述蓝色荧光层由发光波长小于500nm的非掺杂发光材料制成,所述磷光层包括红色磷光层,所述红色磷光层由发光波长大于585nm的非掺杂发光材料制成,所述间隔层由空穴迁移率大于电子迁移率的空穴型有机半导体材料中的至少一种构成;所述间隔层材料的三线态能级大于所述蓝色荧光层材料和所述磷光层材料的三线态能级;所述蓝色荧光层发光材料的三线态能级高于所述磷光层发光材料的三线态能级。
2.根据权利要求1所述的模拟太阳光的有机电致发光器件,其特征在于,所述阳极与所述有机功能层之间还依次设有层叠的空穴注入层和空穴传输层,所述阴极与所述有机功能层之间还依次设有层叠的电子注入层和电子传输层;所述蓝色荧光层位于间隔层靠近电子传输层一侧,所述磷光层位于间隔层靠近空穴传输层一侧。
3.根据权利要求1所述的模拟太阳光的有机电致发光器件,其特征在于,所述蓝色荧光层的发光材料选自:4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯、4,4′-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯、N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺、N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲基苯基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺、式I化合物、式II化合物、式III化合物、和式IV化合物中的至少一种;
所述红色磷光层的发光材料选自:三(1-苯基-异喹啉)合铱(III)、(乙酰丙酮)双(2-甲基二苯并[F,H]喹喔啉)合铱、和N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲基苯基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺中的至少一种;
所述间隔层的材料选自:4,4′-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]、(N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺)、4,4′,4′-三(咔唑-9-基)三苯胺、N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲基苯基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺、式I化合物、和4,4′,4′-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的模拟太阳光的有机电致发光器件,其特征在于,所述蓝色荧光层的厚度为0.1nm-10nm,所述红色磷光层的厚度为0.1nm-20nm,所述间隔层的厚度为1nm-6nm。
5.根据权利要求1-4任一项所述的模拟太阳光的有机电致发光器件,其特征在于,所述磷光层还包括绿色磷光层和/或黄色磷光层,所述绿色磷光层由发光波长位于500nm-545nm的非掺杂发光材料制成,所述黄色磷光层由发光波长位于545nm-585nm的非掺杂发光材料制成。
6.根据权利要求5所述的模拟太阳光的有机电致发光器件,其特征在于,所述红色磷光层与所述绿色磷光层或黄色磷光层之间设有磷光间隔层,所述磷光间隔层由同时具有电子和空穴两种载流子的双极性有机半导体材料中的至少一种,或空穴迁移率大于电子迁移率的空穴型有机半导体材料中的至少一种构成;且所述磷光间隔层材料的三线态能级高于所述红色磷光层材料的三线态能级。
7.根据权利要求6所述的模拟太阳光的有机电致发光器件,其特征在于,
所述绿色磷光层的发光材料选自:三(2-苯基吡啶)合铱,和式V化合物中的至少一种;
所述黄色磷光层的发光材料选自:式VI化合物,和式VII化合物中的至少一种;
所述磷光间隔层的材料选自:4,4′-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]、式VIII化合物,和式IX化合物中的至少一种:
8.权利要求1所述的模拟太阳光的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:在基板上依次制备阳极、空穴注入层、空穴传输层、磷光层、间隔层、蓝色荧光层、电子传输层、电子注入层和阴极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于工业和信息化部电子第五研究所;华南理工大学,未经工业和信息化部电子第五研究所;华南理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201511017376.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





