[发明专利]绝缘体上硅(SOI)衬底上的横向双极结型晶体管(BJT)有效
| 申请号： | 201511016820.0 | 申请日： | 2015-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106206697B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 柳青 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘体 soi 衬底 横向 双极结型 晶体管 bjt | ||
【说明书】：
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