[发明专利]多晶硅铸锭用的免烧结坩埚涂层结构及其制备方法

权利要求书

1.一种多晶硅铸锭用的免烧结坩埚涂层结构，包括：

置于坩埚基底上的第一涂层，和

置于该第一涂层上的第二涂层；

所述第一涂层由基于第一涂层总重量的70-80%的溶剂和20-30%的粘结剂组成；所述第 二涂层含有基于第二涂层总重量的15-20%的氮化硅、60-70%的溶剂和15-20%的粘结剂，且 所述溶剂选自水或醇；所述粘结剂选自聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮或硅溶胶。

2.根据权利要求1所述的免烧结坩埚涂层结构，其特征在于，所述醇为无水乙醇。

3.根据权利要求1所述的免烧结坩埚涂层结构，其特征在于，所述第二涂层还含有分散 剂和消泡剂中的任意一种或两种。

4.根据权利要求3所述的免烧结坩埚涂层结构，其特征在于，所述分散剂选自氨基醇、 甲基戊醇或其组合，含量为第二涂层总重量的0.5-2wt%。

5.根据权利要求3所述的免烧结坩埚涂层结构，其特征在于，所述消泡剂选自1,2丙二 醇、聚氧乙烯聚氧丙烯季戊四醇醚、聚氧乙烯聚氧丙醇胺醚或其组合，含量为第二涂层总重 量的0.5-2wt%。

6.根据权利要求1所述的免烧结坩埚涂层结构，其特征在于，所述氮化硅为颗粒状态， 粒度为1-100微米之间。

7.根据权利要求1所述的免烧结坩埚涂层结构，其特征在于，所述第一涂层和第二涂层 的厚度均为0.1-0.25mm。

8.根据权利要求1-7任一所述的免烧结坩埚涂层结构，其特征在于，所述免烧结坩埚涂 层结构的总厚度为0.2-0.5mm。

9.根据权利要求1-7任一所述的免烧结坩埚涂层结构，其特征在于，还包括置于该第二 涂层上的另一第一涂层，以及置于该另一第一涂层上的另一第二涂层，如此交替。

10.权利要求1-9所述的免烧结坩埚涂层结构的制备方法，包括如下步骤：

a)在室温条件下使用搅拌器械连续搅拌70-80%的溶剂和20-30%的粘结剂，制成第一 涂层组合物；

b)在室温条件下使用搅拌器械连续搅拌15-20%的氮化硅、60-70%的溶剂、15-20%的粘 结剂和任选的0.5-2wt%分散剂和/或0.5-2wt%消泡剂，制成第二涂层组合物；

c)将第一涂层组合物喷涂在坩埚基底上，涂层厚度为0.1-0.25mm；

d)将第二涂层组合物喷涂在第一涂层上，涂层厚度为0.1-0.25mm；

e)任选进行第一涂层组合物和第二涂层组合物的交替喷涂；

所述溶剂选自水或醇；所述粘结剂选自聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮或硅溶胶；

所得的免烧结坩埚涂层结构的总厚度为0.2-0.5mm。