[发明专利]同面电极光电二极管阵列及其制作方法

权利要求书

1.一种同面电极光电二极管阵列，包括多个同面电极光电二极管，每个同面电极光电二极管包括：

第一导电型重掺杂半导体衬底；

在第一导电型重掺杂半导体衬底上形成的第一导电型轻掺杂半导体层；

在所述第一导电型轻掺杂半导体层的上部形成的第二导电型重掺杂半导体区域，其中所述第二导电型重掺杂半导体区域与所述第一导电型轻掺杂半导体层形成PN结二极管，并且第二电极从所述第二导电型重掺杂半导体区域在光线入射侧引出；

围绕所述第二导电型重掺杂半导体区域的第一导电型重掺杂半导体区域，并且第一电极从所述第一导电型重掺杂半导体区域在光线入射侧引出；以及

设置在所述第二导电型重掺杂半导体区域和所述第一导电型重掺杂半导体区域之间的沟槽结构；

其中，所述沟槽结构包括未填充的沟槽，且在沟槽底部及侧壁覆盖一层绝缘层、多层复合绝缘层或光线反射材料，其中在沟槽周围形成第一导电型的重掺杂区域。

2.一种同面电极光电二极管阵列，包括多个同面电极光电二极管，每个同面电极光电二极管包括：

第一导电型重掺杂半导体衬底；

在第一导电型重掺杂半导体衬底上形成的第一导电型轻掺杂半导体层；

在所述第一导电型轻掺杂半导体层的上部形成的第二导电型重掺杂半导体区域，其中所述第二导电型重掺杂半导体区域与所述第一导电型轻掺杂半导体层形成PN结二极管，并且第二电极从所述第二导电型重掺杂半导体区域在光线入射侧引出；

围绕所述第二导电型重掺杂半导体区域的第一导电型重掺杂半导体区域，并且第一电极从所述第一导电型重掺杂半导体区域在光线入射侧引出；以及

设置在所述第二导电型重掺杂半导体区域和所述第一导电型重掺杂半导体区域之间的沟槽结构，

其中在第二导电型重掺杂半导体区域的上部形成较薄的第一导电类型重掺杂区域或第二导电类型轻掺杂区域，且四周被所述第二导电型重掺杂半导体区域包围。

3.一种制作同面电极光电二极管的方法，包括步骤：

在第一导电型重掺杂半导体衬底上形成第一导电型轻掺杂半导体层；

在所述第一导电型轻掺杂半导体层的上部形成第二导电型重掺杂半导体区域，其中所述第二导电型重掺杂半导体区域与所述第一导电型轻掺杂半导体层形成PN结二极管，并且第二电极从所述第二导电型重掺杂半导体区域在光线入射侧引出；

围绕所述第二导电型重掺杂半导体区域形成第一导电型重掺杂半导体区域，并且第一电极从所述第一导电型重掺杂半导体区域在光线入射侧引出；以及

在所述第二导电型重掺杂半导体区域和所述第一导电型重掺杂半导体区域之间设置沟槽结构；

所述沟槽结构包括未填充的沟槽，且在沟槽底部及侧壁覆盖一层绝缘层、多层复合绝缘层或光线反射材料，其中在沟槽周围形成第一导电型的重掺杂区域。

4.一种制作同面电极光电二极管的方法，包括步骤：

在第一导电型重掺杂半导体衬底上形成第一导电型轻掺杂半导体层；

在所述第一导电型轻掺杂半导体层的上部形成第二导电型重掺杂半导体区域，其中所述第二导电型重掺杂半导体区域与所述第一导电型轻掺杂半导体层形成PN结二极管，并且第二电极从所述第二导电型重掺杂半导体区域在光线入射侧引出；

围绕所述第二导电型重掺杂半导体区域形成第一导电型重掺杂半导体区域，并且第一电极从所述第一导电型重掺杂半导体区域在光线入射侧引出；以及

在所述第二导电型重掺杂半导体区域和所述第一导电型重掺杂半导体区域之间设置沟槽结构；

在第二导电型重掺杂半导体区域的上部形成较薄的第一导电类型重掺杂区域或第二导电类型轻掺杂区域，且四周被所述第二导电型重掺杂半导体区域包围。