[发明专利]多晶硅还原炉调功柜控制系统有效
| 申请号: | 201511009524.8 | 申请日: | 2015-12-30 |
| 公开(公告)号: | CN106933119B | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
| 发明(设计)人: | 齐林喜;吉佳佳;陈建宇;赵亮;郑泽飞;高晶 | 申请(专利权)人: | 巴彦淖尔聚光硅业有限公司 |
| 主分类号: | G05B19/04 | 分类号: | G05B19/04;C01B33/035 |
| 代理公司: | 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 | 代理人: | 储照良 |
| 地址: | 015500 内蒙古自治区巴彦淖尔市*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 多晶 还原 炉调功柜 控制系统 | ||
1.一种多晶硅还原炉调功柜控制系统,包括由绕组线圈构成的输入端,由零线和火线构成的输出端,与绕组线圈电性连接的第一快速熔断器,所述输出端包括跨接在零线与火线上的电压传感器所述输出端包括跨接在零线与火线上的电压传感器,其特征在于:所述绕组线圈一端与零线连接,另一端经过所述第一快速熔断器、电容、电阻及电流感应器后与火线连接,所述电容及电阻串联构成一组电子组件,所述控制系统还包括并联在电子组件两端的晶闸管以及与晶闸管的门极电性连接的控制模块,所述电流感应器及电压感应器分别向控制模块馈入信号;控制模块根据电压传感器及电流传感器馈入的信号运算判断出输出端的功率变化后,通过向其中至少一个晶闸管输入脉冲信号来实现控制流经第一快速熔断器的电流大小;
所述控制系统还包括与第一快速熔断器并联设置的第二快速熔断器,所述第一快速熔断器与第二快速熔断器并联作为向输出端提供电源的两个不同档位。
2.如权利要求1所述的多晶硅还原炉调功柜控制系统,其特征在于:所述第二快速熔断器经过一组电子组件后与火线上的电流传感器串联连接。
3.如权利要求1所述的多晶硅还原炉调功柜控制系统,其特征在于:所述流经第一快速熔断器的电流超出额定值时,控制模块向与第二快速熔断器串联的晶闸管输入脉冲信号,以激活第二快速熔断器所在的档位替代第一快速熔断器所在的档位向输出端提供电源,实现上述档位的变换,其中切换档位的时间为8秒~15秒。
4.如权利要求1所述的多晶硅还原炉调功柜控制系统,其特征在于:所述控制系统还包括一端连接在零线上,一端连接在第一快速熔断器与电子组件之间的吸能型晶闸管过压保护器。
5.如权利要求1所述的多晶硅还原炉调功柜控制系统,其特征在于:所述控制系统还包括一端连接在零线上,一端连接在电流感应器与电子组件之间的吸能型晶闸管过压保护器。
6.如权利要求1至2任意一项所述的多晶硅还原炉调功柜控制系统,其特征在于:所述电子组件两端并联有两个导向相反的晶闸管,所述两个晶闸管的门极分别与控制模块相连。
7.如权利要求1至2任意一项所述的多晶硅还原炉调功柜控制系统,其特征在于:所述电子组件中的电阻为无感电阻。
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