[发明专利]一种空间耦合低互调衰减器

说明书

技术领域

本发明涉及一种空间耦合低互调衰减器。

背景技术

目前，针对传统衰减器的设计方案如图2A-2B所示，在基片（1）的两边印刷接地导带（10），在基片（1）的中心线印刷中心导带（12），在接地导带（10）、中心导带（14）之间如图2A-2B所示印刷衰减电阻（11），在基片（1）的两端印刷端电极（13），信号经过衰减电阻（11）中的T型或Π型电路实现信号的衰减；此种方案的优点在于结构简单，安装使用方便。其缺点主要表现在：一、功率小，此种结构的衰减器承载功率能力有限，由于该种衰减器为悬置式衰减器，使用时主要依靠两边的接地导带与腔体接触的部分实现接地信号的连接与热量传输，由于接触面积过小，导热效率极差，其最大功率常常被限制在100W以内；二、互调指标差，由于该种衰减电路的中心导带部分被衰减电阻进行隔离，信号的衰减主要依靠衰减电路的吸收进行实现的，由于此种方案衰减方式为直接衰减的方式，导致衰减器的互调指标极差，其三阶互调很少能实现≤-120dBc2*43dBm；三、稳定性差，衰减器使用时，依靠在腔体内部设置的弹性接触夹与衰减器两边的接地导带进行接触，接触面积过小，且该衰减器的中心导带的接触也是依靠端电极的弹性接触实现的，因此该方案的衰减器在经过震动后，经常出现指标不良的现象。

发明内容：

为克服现有技术的缺陷，本发明的目的在于提供一种空间耦合低互调衰减器，是一种传输功率大、低互调性能好、指标稳定的空间耦合低互调衰减器。

本发明解决技术问题采用如下技术方案：

一种空间耦合低互调衰减器，包括：

基片，输入导带、输出导带、吸收电阻与耦合电阻通过共电极导带经侧电极导带与接地导电面相连；

其特征在于：

所述输入导带、输出导带的端面与基片的端面之间非齐平，而是有一定的离边；

所述接地导电面的四边与基片的四边端面之间非齐平，而是存在一定的离边；

所述输入导带与输出导带的其中一端均设置有电阻，但是输入导电终端设置的为吸收电阻，功率可实现300W，输出导带一端设置的为耦合电阻，功率在30W，均采用厚膜印刷与烧结工艺；

所述吸收电阻和耦合电阻通过共电极导带实现接地；

所述空间耦合的衰减器所有的信号传输、衰减、吸收均在同一基片上实现；

所述输入到导带与输出导带之间通过空间耦合的方式形成信号吸收与衰减，对信号进行处理，通过两导带之间的离边L对衰减度进行控制；

所述安装孔均布于基片的周边。

与已有技术相比，本发明的有益效果体现在：

本发明的空间耦合低互调衰减器，在于其衰减方式非传统的T型或Π型电路实现直接衰减，而是通过空间耦合、非接触式的衰减方式进行衰减，由于此种方式非直接衰减，因此此种方案的衰减器可以实现低互调性能，其互调指标可以实现≤-150dBc2*43dBm；本发明的基片面积较大，且安装时将本发明直接安装于腔体的平面上，非传统的悬置式安装，有效散热面积大，其功率承载能力大，可以实现300W的承载功率；本发明的衰减器指标稳定，在于其接地导电面整体与腔体面相接触，保证两者之间具有充分的电性能接触面，且腔体与衰减器之间通过安装孔使用螺钉进行固定实现地接连接，输入导带、输出导带连接方式为焊接式，非传统焊接式，因此本发明具有更好的稳定性，使产品的使用寿命大大提高。

附图说明：

图1A为本发明的整体结构示意图；图1B为本发明的侧视结构示意图；图1C为本发明仰视结构示意图；图2A为传统衰减器整体结构示意图；图2B为传统衰减器侧视结构示意图；

图中标号：1基片，101安装孔，2输入导带，3输出导带，4吸收电阻，3信号副杆，4定位块，5耦合电阻，6共电极导带，61侧电极导带，7接地导电面，8离边，9离边L，10接地导带，11衰减电阻，12中心导带，13端电极；

以下通过具体实施方式，并结合附图对本发明作进一步说明。

具体实施方式：

实施例：结合图1A—图1C，本实施例的空间耦合低互调衰减器，包括：

使用氧化铍或氮化铝高温加工而成的基片1，在基片1的周边设置安装孔101，以便于本发明的衰减器的安装、固定；

在基片上采用印刷、烧结工艺制作的输入导带2、输出导带3、吸收电阻4、耦合电阻5以及共电极导带6，其共同作用，实现对信号的衰减以及低互调性能；