[发明专利]一种抗电势诱导衰减效应的晶硅表面氧化装置及其方法

权利要求书

1.一种抗电势诱导衰减效应的晶硅表面氧化装置，用于对晶硅表面进行氧 化处理，其特征在于，包括：

-羟基发生室(2)，内设有电解液以及浸入所述电解液中、分别与电源的正、 负极连接的阳极体和阴极体，所述阳极体能够将羟基发生室(2)中部分电解液 中的水分子分解成羟基和氢的自由基并混入该电解液中形成混合液；

-施加装置(4)，与所述羟基发生室(2)通过第一管道连通，所述第一管 道上设有能够将所述羟基发生室(2)中的混合液输送到所述施加装置(4)上 的第一动力装置，所述施加装置(4)能够将所述混合液施加到所述晶硅的表面。

2.根据权利要求1所述的一种抗电势诱导衰减效应的晶硅表面氧化装置， 其特征在于，所述羟基发生室(2)上还设有前端处理装置(6)，所述前端处理 装置(6)包括与所述羟基发生室(2)通过第二管道连接的储液室(8)，所述 储液室(8)内设有电解质，所述第二管道内设有能够将所述储液室(8)中的 电解液输送至所述羟基发生室(2)中的第二动力装置。

3.根据权利要求2所述的一种抗电势诱导衰减效应的晶硅表面氧化装置， 其特征在于，所述前端处理装置(6)还包括设置在所述储液室(8)上的进液 管，所述进液管内的液态水以及电解质通过第三动力装置驱动输送至所述储液 室(8)内，并在所述储液室(8)内混合。

4.根据权利要求3所述的一种抗电势诱导衰减效应的晶硅表面氧化装置， 其特征在于，所述进液管上连接有用于向其中添加液态水的加水装置以及添加 电解质的加药泵(12)，所述加水装置与所述进液管之间连接有用于控制液态水 流量的流量计(12)。

5.根据权利要求4所述的一种抗电势诱导衰减效应的晶硅表面氧化装置， 其特征在于，所述阴极体由不锈钢件、钛件、镀有金属铂的钛件组中的一种或 者多种组成，所述阳极体由涂覆有功能纳米复合涂层的钛电极组成，所述功能 纳米复合涂层由铂涂层、氧化钌/氧化铱混合涂层、氧化钴/氧化铱混合涂层、 氧化钽/氧化铱混合涂层、氧化钴/类金刚石碳/氧化铱混合涂层中的一种或者多 种组成。

6.根据权利要求5所述的一种抗电势诱导衰减效应的晶硅表面氧化装置， 其特征在于，所述施加装置(4)包括喷淋头(14)，所述喷淋头(14)能够将 混合液直接喷淋到晶硅的上下表面。

7.一种抗电势诱导衰减效应的晶硅表面氧化方法，其特征在于，包括以下 步骤：

S1、通过羟基发生器，采用电解的方法，电解位于羟基发生室内的电解液， 获得含有羟基的混合液；

S2、将上述混合液输入到施加机构中；

S3、通过上述施加机构将该混合液施加在晶硅表面；

S4、通过PECVD装置在氧化硅工件上生长一层氮化硅减反层，然后对该工 件正反面进行印刷和烧结。

8.根据权利要求7所述的一种抗电势诱导衰减效应的晶硅表面氧化方法， 其特征在于，所述步骤S1之前还设有

步骤S0、向羟基发生室内或者输入至该羟基发生室中的电解液中添加电解 质，使该液态水保持设定的PH值。

9.根据权利要求8所述的一种抗电势诱导衰减效应的晶硅表面氧化法，其 特征在于，所述步骤S0中，设定的PH值在1.0-6.0之间。

10.根据权利要求9所述的一种抗电势诱导衰减效应的晶硅表面氧化法， 其特征在于，所述步骤S1中，电解的阴极体由不锈钢件、钛件、镀有金属铂的 钛件组中的一种或者多种组成，电解的阳极体由涂覆有功能纳米复合涂层的钛 电极组成，所述功能纳米复合涂层由铂涂层、氧化钌/氧化铱混合涂层、氧化钴 /氧化铱混合涂层、氧化钽/氧化铱混合涂层、氧化钴/类金刚石碳/氧化铱混合 涂层中的一种或者多种组成。