[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

一基板；

一栅极，配置于该基板上，且该栅极具有多个贯穿孔；

一通道层，位于该栅极上；

一栅绝缘层，配置于该栅极以及该通道层之间；

一蚀刻终止层，配置于该通道层上，且该蚀刻终止层具有多个接触孔以暴露出部分的该通道层，该多个接触孔借由该具有多个贯穿孔的该栅极作为曝光掩模以形成；以及

一源极以及一漏极，其中该源极以及该漏极配置于该蚀刻终止层上且分别借由该些接触孔与该通道层电性连接；

其中，该多个贯穿孔与该多个接触孔重迭。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该多个贯穿孔的边缘与该多个接触孔的边缘对齐。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，该通道层被该接触孔暴露出的区域的导电性大于该通道层被该蚀刻终止层所遮蔽的区域的导电性。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，每一接触孔的直径为X，且每一贯穿孔的直径为X至X+2μm之间。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，X为3μm至5μm之间。

6.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，该栅绝缘层包括氧化硅、氮化硅或其堆栈结构。

7.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，该通道层的材料包括非晶硅材料、多晶硅材料或金属氧化物半导体材料。

8.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，该蚀刻终止层的材料包括氧化硅或是氧化铝。

9.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

形成一栅极于该基板上，其中该栅极具有多个贯穿孔；

形成一栅绝缘层于该栅极上；

形成一通道层于该栅绝缘层上；

形成一蚀刻终止层于该通道层上，

图案化该蚀刻终止层，以在该蚀刻终止层中形成多个接触孔以暴露出部分的该通道层；以及

形成一源极以及一漏极于该蚀刻终止层上，其中该源极以及该漏极分别借由该多个接触孔与该通道层电性连接；

其中，该图案化该蚀刻终止层的步骤包括：

形成一光刻胶层于该蚀刻终止层上；

利用该栅极作为曝光掩模幕图案化该光刻胶层，以暴露出部分的该蚀刻终止层；以及

移除该蚀刻终止层被该光刻胶层暴露出的部份，以形成该多个接触孔。