[发明专利]一种防止高K材料氧扩散的方法有效
| 申请号： | 201511002977.8 | 申请日： | 2015-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN105575988B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 曾绍海;李铭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;尹英 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 防止 材料 扩散 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种防止高K材料氧扩散的方法，其特征在于，包括：
步骤一：提供一硅衬底，在所述硅衬底上采用化学氧化方法淀积一层超薄界面层；
步骤二：在所述超薄界面层上淀积一层金属Ru作为缓冲层；
步骤三：在所述金属Ru上继续淀积高K材料；
步骤四：退火，使所述高K材料中的氧和金属Ru结合，形成稳定的RuO2，防止氧和衬底中的硅反应形成氧扩散；同时，阻止超薄界面层中的OH—和高K材料生成Hf的亚氧化物。
2.根据权利要求1所述的防止高K材料氧扩散的方法，其特征在于，步骤一中，所述超薄界面层的厚度为5～20A。
3.根据权利要求1～2任意一项所述的防止高K材料氧扩散的方法，其特征在于，所述超薄界面层材料为SiO2或SiON。
4.根据权利要求1所述的防止高K材料氧扩散的方法，其特征在于，步骤二中，采用原子层淀积方法淀积所述金属Ru。
5.根据权利要求1或4所述的防止高K材料氧扩散的方法，其特征在于，所述金属Ru的厚度为50～200A。
6.根据权利要求1所述的防止高K材料氧扩散的方法，其特征在于，步骤三中，采用原子层淀积方法淀积所述高K材料。
7.根根据权利要求1所述的防止高K材料氧扩散的方法，其特征在于，步骤四中，所述退火的温度为500～800度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
