[发明专利]一种防硫化片式厚膜固定电阻器及其制作方法在审
| 申请号: | 201511002308.0 | 申请日: | 2015-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN105427975A | 公开(公告)日: | 2016-03-23 |
| 发明(设计)人: | 赵伟利;刘宏 | 申请(专利权)人: | 株洲宏达电通科技有限公司 |
| 主分类号: | H01C7/00 | 分类号: | H01C7/00;H01C1/142;H01C17/065;H01C17/28 |
| 代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 吴志勇 |
| 地址: | 412000 *** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 硫化 片式厚膜 固定 电阻器 及其 制作方法 | ||
1.一种防硫化片式厚膜固定电阻器,包括陶瓷基片、面电极、背电极、端电极、电阻体、镀锡层、镀镍层、一次玻璃、二次玻璃,其特征是,还包括位于面电极上的镍铬隔离层。
2.根据权利要求1所述的防硫化片式厚膜固定电阻器,其特征是,所述面电极为银钯面电极;镍铬隔离层为采用磁控溅射技术溅射在银钯面电极上的一层镍铬合金膜。
3.根据权利要求1所述的防硫化片式厚膜固定电阻器,其特征是,所述一次玻璃位于电阻体上面,二次玻璃位于一次玻璃上面,所述面电极、背电极、端电极、电阻体均位于陶瓷基片上,镀镍层位于面电极、背电极、端电极的外表面上,镀锡层位于镀镍层外表面上。
4.根据权利要求3所述的防硫化片式厚膜固定电阻器,其特征是,所述二次玻璃为二次保护层,所述镍铬隔离层位于面电极和镀镍层之间;镍铬隔离层的一部分填充于二次保护层与面电极之间。
5.一种防硫化片式厚膜固定电阻器的制作方法,其特征在于,采用磁控溅射技术,在制作防硫化片式厚膜固定电阻器时,在印刷二次保护层之前,在面电极上溅射一层镍铬合金,以防止硫化气体从二次保护层与面电极之间缝隙进入后与面电极接触而产生硫化作用。
6.根据权利要求5所述的防硫化片式厚膜固定电阻器的制作方法,其特征在于,所述防硫化片式厚膜固定电阻器的制作工艺包括:
a.前工序的制作:
进行防硫化片式厚膜固定电阻器的前工序制作,直至调阻工序完成;
b.掩膜印刷:
选用合适掩膜浆料,采用丝网印刷技术在已经调阻完成的半成品上印刷一层掩膜,将不需要溅射镍铬合金的部分掩盖住,只留出面电极;
c.镍铬合金的溅射:
将印刷好掩膜的半成品放进磁控溅射机中,进行镍铬合金的溅射,溅射后用超声波将掩膜清洗干净并烘干,在面电极表面形成镍铬合金膜,再进行老化,使镍铬合金膜稳定;
d.后工序制作:
将老化后的防硫化片式厚膜固定电阻器依次进行二次玻璃和标记印刷、烧结、一次分割、封端、二次分割、电镀工序。
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