[发明专利]半导体晶圆凸点结构

权利要求书

1.一种半导体晶圆凸点结构，其特征在于，包括：

晶圆；

形成于晶圆上表面的再造钝化层；

形成于晶圆下表面的聚合物材料层；

形成于聚合物材料层的各裸露面上的背胶层。

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆凸点结构，其特征在于，

所述晶圆上表面具有电极及钝化层，所述钝化层具有裸露所述电极 的第一开口部；

所述再造钝化层包括第一再造钝化层和第二再造钝化层；

所述第一再造钝化层形成于所述钝化层上；

在所述第一再造钝化层上形成有再布线金属层；

所述第二再造钝化层，形成于所述再布线金属层的各裸露面上，所 述第二再造钝化层上具有第二开口部；

所述第二开口部中形成有凸点下金属层；

所述凸点下金属层上形成有球形凸点。

3.根据权利要求2所述的半导体晶圆凸点结构，其特征在于，所 述聚合物材料层的厚度为第一再造钝化层与第二再造钝化层厚度之和， 并且第一再造钝化层与第二再造钝化层热膨胀系数差值小于5。

4.根据权利要求3所述的半导体晶圆凸点结构，其特征在于，所 述第一再造钝化层及第二再造钝化层主要材质均与聚合物材料层主要材 质相同。

5.根据权利要求2-3任一项所述的半导体晶圆凸点结构，其特征 在于，所述聚合物材料层上具有与所述第二开口部位置对应的第三开 口部，所述第二开口部与第三开口部形状相同，并且在所述第三开口 部中也形成有背胶层。

6.根据权利要求2-3任一项所述的导体晶圆凸点结构，其特征在 于，所述晶圆上具有多个分区单元，晶圆上各分区单元之间具有不形 成钝化层的第一间隙。

7.根据权利要求6所述的半导体晶圆凸点结构，其特征在于，与 第一间隙位置相对应，在聚合物材料层上形成形状相同的第二间隙。

8.根据权利要求4所述的半导体晶圆凸点结构，其特征在于，所 述第一再造钝化层、第二再造钝化层及聚合材料层材质均为聚酰亚胺或 均为聚苯并恶唑。

9.根据权利要求1-3任一项所述的半导体晶圆凸点结构，其特征 在于，所述背胶层厚度为15～45μm。

10.根据权利要求2所述的半导体晶圆凸点结构，其特征在于，所 述第一再造钝化层厚度为4～6μm，所述第二再造钝化层厚度为7～15 μm。