[发明专利]CMP中碱性抛光液抑制GLSI铜钴阻挡层电偶腐蚀的应用在审
| 申请号： | 201511000051.5 | 申请日： | 2015-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105419651A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 刘玉岭;潘辉;高宝红 | 申请（专利权）人： | 天津晶岭微电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/16 | 分类号： | C09G1/16;H01L21/306 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 杨红 |
| 地址： | 300130 天津市滨海新*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmp 碱性 抛光 抑制 glsi 阻挡 层电偶 腐蚀 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种CMP中碱性抛光液抑制GLSI铜钴阻挡层电偶腐蚀的应用，主要由水溶胶、FA/0Ⅰ型鳌合剂、pH无机酸调节剂和复合型非离子活性剂组成的碱性抛光液，其特征是：所述复合型非离子活性剂为FA/0Ⅰ型表面活性剂，所述FA/0Ⅰ型表面活性剂抑制铜互连Co阻挡层的Co与Cu之间电偶腐蚀的应用。
2.根据权利要求1所述的CMP中碱性抛光液抑制GLSI铜钴阻挡层电偶腐蚀的应用，其特征是：所述碱性抛光液的主要组成成分按重量％计，粒径10-100nm的纳米SiO2水溶胶1-20％、H2O20.01-0.5％、FA/0Ⅰ型鳌合剂0.5-5％、pH无机酸调节剂0.1-2％和FA/0Ⅰ型表面活性剂0.1-5％。
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