[发明专利]半导体封装用液态底层填料组合物及倒装芯片型半导体装置在审
| 申请号: | 201510994353.2 | 申请日: | 2015-12-25 |
| 公开(公告)号: | CN105732983A | 公开(公告)日: | 2016-07-06 |
| 发明(设计)人: | 隅田和昌;串原直行 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号: | C08G73/06 | 分类号: | C08G73/06;C08G59/62;C08G59/38;C08K9/06;C08K3/36;H01L23/29 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 沈雪 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 封装 液态 底层 填料 组合 倒装 芯片 装置 | ||
1.一种半导体封装用液态底层填料组合物,其包含以下(A)、(B)以及(C)成分,
(A)成分:氰酸酯树脂,其1分子中具有2个以上的氰酰基;
(B)成分:由下述通式(1)所表示的间苯二酚型酚醛树脂,
在通式(1)中,n表示为0以上且10以下的整数,R1和R2表示选自氢原子、碳原子数为1以上且10以下的烷基、芳基、烯丙基以及乙烯基中的一价基团;
(C)成分:由下述(C-1)成分和(C-2)成分组成的无机填充材料,其相对于组合物整体为40~80质量%,
(C-1)成分:其为平均粒径0.1~3μm的二氧化硅的无机填充材料A
(C-2)成分:其为对平均粒径5~70nm的无定形纳米二氧化硅100质量份用由下述通式(2)和/或(3)所表示的硅烷偶联剂3~20质量份进行表面处理而得到的无机填充材料B,
在通式(2)和(3)中,n为1~5的整数,m为1或2,
其中,无机填充材料B相对于(C)成分整体的含有率为0.5~10质量%。
2.如权利要求1所述的半导体封装用液态底层填料组合物,其进一步含有(D)固化促进剂。
3.如权利要求1所述的半导体封装用液态底层填料组合物,其进一步含有液态环氧树脂(E),所述液态环氧树脂(E)为选自双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、萘型环氧树脂以及以下述通式(4)所表示的环氧树脂中的1种或2种以上的组合,
在通式(4)中,R为选自氢原子、卤素原子、碳原子数为1~6的非取代或取代的一价烃基、碳原子数为1~6的烷氧基或碳原子数为6~12的芳基的基团,其可以相同,也可以不同,i为0~3的整数,
其中,所述(E)成分通过JISK7117-2:1999所记载的方法并使用E型粘度计所测定的在25℃下的粘度为0.1~1000Pa·s,并且相对于(A)、(B)以及(D)成分的添加量的合计100质量份,含有所述(E)成分10~50质量份。
4.如权利要求2所述的半导体封装用液态底层填料组合物,其进一步含有液态环氧树脂(E),所述液态环氧树脂的(E)为选自双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、萘型环氧树脂以及以下述通式(4)所表示的环氧树脂中的1种或2种以上的组合,
在通式(4)中,R为选自氢原子、卤素原子、碳原子数为1~6的非取代或取代的一价烃基、碳原子数为1~6的烷氧基或碳原子数为6~12的芳基的基团,其可以相同,也可以不同,i为0~3的整数,
其中,所述(E)成分通过JISK7117-2:1999所记载的方法并使用E型粘度计所测定的在25℃下的粘度为0.1~1000Pa·s,并且相对于(A)、(B)以及(D)成分的添加量的合计100质量份,含有所述(E)成分10~50质量份。
5.如权利要求1~4任一项所述的半导体封装用液态底层填料组合物,其中,所述(A)成分的氰酸酯树脂在80℃下为液态。
6.一种倒装芯片型半导体装置,其以如权利要求1~4中任一项所述的半导体封装用液态底层填料组合物进行封装。
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