[发明专利]一种液滴阵列芯片及其制备方法在审
申请号: | 201510992509.3 | 申请日: | 2015-12-25 |
公开(公告)号: | CN105505742A | 公开(公告)日: | 2016-04-20 |
发明(设计)人: | 杜学敏;王娟;吴天准;唐天洪;崔欢庆 | 申请(专利权)人: | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
主分类号: | C12M1/00 | 分类号: | C12M1/00;G01N27/447;G01N27/62 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 芯片 及其 制备 方法 | ||
1.液滴阵列芯片,其包括:基底;所述基底具有相互交替排布的亲水区和 疏水区以形成亲疏水阵列。
2.如权利要求1所述的液滴阵列芯片,其中,所述亲水区通过物理吸附亲 水材料或化学修饰亲水性官能团、亲水性单分子层及亲水性聚合物而形成于所 述基底上。
3.如权利要求2所述的液滴阵列芯片,其中,所述亲水材料包括亲水性有 机物、亲水性无机物和金属材料。
4.如权利要求3所述的液滴阵列芯片,其中,所述亲水性有机物选自以下 物质中的至少一种:丙烯酸、聚乙二醇、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮和聚甲基 丙烯酸羟乙酯。
5.如权利要求3所述的液滴阵列芯片,其中,所述亲水性无机物包含下列 材料中的至少一种:砷化镓、二氧化硅、二氧化钛、氧化铁、氮氧化硅、氧化 铝和氮化铝。
6.如权利要求3所述的液滴阵列芯片,其中,所述金属材料包含下列材料 中的至少一种:金、银、铜、钯和铂。
7.如权利要求2所述的液滴阵列芯片,其中,所述亲水性官能团为以下官 能团中的至少一种:氨基、羧基、羟基、磺酸基、磷酸基和季铵阳离子。
8.如权利要求2所述的液滴阵列芯片,其中,所述亲水性官能团是通过等 离子体处理或化学试剂处理的方法形成于所述基底上。
9.如权利要求2所述的液滴阵列芯片,其中,所述亲水性单分子层由含有 下列基团的材料构成:氨基、羧基、羟基、磺酸基、磷酸基和季铵阳离子。
10.如权利要求2所述的液滴阵列芯片,其中,所述亲水性单分子层通过自 组装的方法形成于所述基底上。
11.如权利要求2所述的液滴阵列芯片,其中,所述亲水性聚合物通过化学 接枝的方法形成于所述基底上。
12.如权利要求1所述的液滴阵列芯片,其中,所述疏水区通过物理吸附疏 水材料或化学修饰疏水性官能团、疏水性单分子层及疏水性聚合物而形成于所 述基底上。
13.如权利要求12所述的液滴阵列芯片,其中,所述疏水性材料选自以下 物质中的至少一种:聚四氟乙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯和聚丙烯酸六 氟丁酯。
14.如权利要求12所述的液滴阵列芯片,其中,所述疏水性官能团为以下 官能团中的至少一种:烃基、硝基、氟、氯。
15.如权利要求12所述的液滴阵列芯片,其中,所述疏水性官能团是通过 等离子体处理或化学试剂处理的方法形成于所述基底上。
16.如权利要求12所述的液滴阵列芯片,其中,所述疏水性单分子层由包 含烃基、硝基、氟、氯的基团的材料构成。
17.如权利要求12所述的液滴阵列芯片,其中,所述疏水性单分子层通过 自组装的方法形成于所述基底上。
18.如权利要求12所述的液滴阵列芯片,其中,所述疏水性聚合物通过化 学接枝的方法形成于所述基底上。
19.如权利要求1所述的液滴阵列芯片,其中,所述基底由以下材料中的至 少一种制备而成:硅、二氧化硅、玻璃、石英、聚二甲基硅氧烷、聚甲基丙烯 酸甲酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对二甲苯 和聚酰亚胺。
20.如权利要求1所述的液滴阵列芯片,其中,所述亲疏水阵列包括平面液 滴阵列。
21.如权利要求1所述的液滴阵列芯片,其中,所述亲疏水阵列中的亲水区 或疏水区形成为相对于基底下凹,从而使所述亲疏水阵列形成为微腔或微孔液 滴阵列。
22.如权利要求1所述的液滴阵列芯片,其中,所述亲疏水阵列中的亲水区 或疏水区形成为相对于基底向上凸出,从而使所述亲疏水阵列形成为微柱液滴 阵列。
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