[发明专利]P型外延片生产中的电阻率监控方法有效
| 申请号： | 201510992474.3 | 申请日： | 2015-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105552003B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 任坚;张洪伟 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 生产 中的 电阻率 监控 方法 | ||
1.一种P型外延片生产中的电阻率监控方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、采用和产品外延片的P型外延层相同的生产工艺在测试外延片表面形成P型外延层，通过所述测试外延片的P型外延层监控所述产品外延片的的P型外延层的电阻率；所述产品外延片的P型外延层的电阻率大于10欧姆·厘米；
步骤二、在电阻率测试之前对所述测试外延片进行测试预处理，所述测试预处理包括分步骤：
步骤21、采用去离子水对形成所述测试外延片的P型外延层的表面进行冲洗并形成自然氧化膜，用以在测试前去除所述测试外延片的P型外延层的表面的大量-H，-CH键；
步骤22、对所述测试外延片进行甩干；
步骤三、采用四探针测试仪对所述测试外延片的P型外延层进行电阻率测试；
步骤三中测试得到的电阻率在所要求的范围时，测试成功，所述产品外延片继续生产；
步骤三中测试得到的电阻率超出所要求的范围时，测试失败，所述产品外延片停止生产，并进行原因检测。
2.如权利要求1所述的P型外延片生产中的电阻率监控方法，其特征在于：步骤21中所述冲洗工艺的水压为7Mpa、时间为3分钟。
3.如权利要求1所述的P型外延片生产中的电阻率监控方法，其特征在于：步骤22中所述甩干工艺的旋转速度为5000rpm、时间为1分钟。
4.如权利要求1所述的P型外延片生产中的电阻率监控方法，其特征在于：在进行原因检测时首先重复步骤一至三再进行一次电阻率测试，以确定是否为测试过程中出的问题。
5.如权利要求4所述的P型外延片生产中的电阻率监控方法，其特征在于：如果重复测试成功，则继续进行所述产品外延片的生产；如果重复测试失败，对所述产品外延片的生产工艺本身进行检测。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
