[发明专利]芯片错料检测装置及检测方法、芯片烧录方法及烧录系统在审

专利信息
申请号: 201510989363.7 申请日: 2015-12-25
公开(公告)号: CN105632556A 公开(公告)日: 2016-06-01
发明(设计)人: 任加华;路晓东;钱之政;赵树磊;刘上;林大毅 申请(专利权)人: 环鸿电子(昆山)有限公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C16/20;G11C29/00;G11C29/12
代理公司: 上海硕力知识产权代理事务所 31251 代理人: 郭桂峰
地址: 215341 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 芯片 检测 装置 方法 系统
【说明书】:

技术领域

发明涉及电子技术领域,尤其涉及一种芯片错料检测装置及基于该错料 检测装置的错料检测方法,还涉及一种芯片的烧录方法及及其烧录系统。

背景技术

可擦除可编程只读存储器(ElectricallyErasableProgrammable Read-OnlyMemory,以下简称EEPROM)的芯片是一种掉电后数据不丢失的可擦 除可编程只存储芯片,其可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息,重新编程, 使用方法为即插即用。目前来说,很多硬件中都需要使用EEPROM芯片来存储 一些关键的硬件数据或者配置信息,例如,电脑主板上网卡的EEPROM芯片等, 功能不同其内部存储的数据自然不同。

在将数据烧录进EEPROM芯片的过程中,首先将EEPROM芯片母片(内置待 烧录数据的EEPROM芯片)放入烧录器的料座(英文为料座)中将待烧录数据 进行缓存,随后将待烧录的EEPROM芯片放入该烧录器中烧录进该缓存数据, 实现EEPROM芯片的烧录。为了提高效率,通常设置多个料座,在其中的一个 料座中固定放置EEPROM芯片母片,在其他的料座中同时放置待烧录的EEPROM 芯片实现数据的同时烧录。

为了提高生产效率,在批量烧录时常由自动供料机构连续取/放待烧录的 EEPROM芯片。为避免连续自动取料/放料时的错料,一般在对EEPROM芯片进行 烧录之前需要检测其是否为空片。如若该EEPROM芯片不是空片,则意味当前 料座上的EEPROM芯片是前一取料动作未取走的已烧录EEPROM芯片。这通常是 因为更前一放料动作一次抓取了两颗空白EEPROM芯片,即发生叠料错误。但 是,在实际应用中,部分的EEPROM芯片没有空片检测的功能,尤其是在对已 经烧录过数据的EEPROM芯片进行数据更新时,很容易出现由于EEPROM芯片中 数据重复烧录(因此时无法利用空片检测功能检测叠料)而出错。此外,也存 在发生漏料的错误需要检测。

当然,现在也有能够解决各种EEPROM芯片烧录前进行叠料/漏料的错料检 测这一问题的方法,例如,在烧录的料座上设置CCD(Charge-coupledDevice, 电荷耦合元件)检测仪,其通过在取出烧录了数据的EEPROM芯片时抓取料座 的图片的方法来实现上述目的。但是,利用CCD检测仪进行空片进行检测为一 光学方法,其对环境要求(如,亮度、位置等)极高,且费用高还延长了烧录 时间。

因此,如何简单快速的实现EEPROM芯片的错料检测成为一个急需解决的 问题。

发明内容

针对上述问题,本发明旨在提供一种芯片错料检测装置及检测方法、芯片 烧录方法及烧录系统,其根据错料检测装置中检测接触点的检测电平变化情况 判断是否出现错料烧录,简单方便同时节约烧录时间。

本发明提供的技术方案如下:

一种芯片的错料检测方法,用于检测放料至料座内的所述芯片,所述芯片 具有内部电连接的至少两个同位接地引脚,所述料座具有与所述芯片引脚对应 的接触点,所述错料检测方法包括步骤:S10选择所述料座中同位接地接触点 中的一个作为参考接触点,并向其提供参考高电平;S20选择所述料座中同位接 地接触点中的一个作为检测接触点;S30在取料前/取料后和/或放料前/放料 后,分别解锁/锁合所述料座,使所述料座的接触点与所述芯片对应的引脚对 应产生断路/电连接;S40获取所述检测接触点的检测电平变化情况;以及,S50 根据获取的检测电平变化情况与放料正确时的标准电平变化情况比较,检测是 否发生错料。

本发明还提供一种芯片的错料检测方法,包括步骤:S10选择所述料座中 同位接地接触点中的一个作为参考接触点,并向其提供参考高电平;S21选择步 骤S10中所述的参考接触点作为检测接触点;以及,S22将所述料座中同位接 地接触点中与所述的检测(参考)接触点不同的另一个接地接触点与接地线电 连接;S30在取料前/取料后和/或放料前/放料后,分别解锁/锁合所述料座, 使所述料座的接触点与所述芯片对应的引脚对应产生断路/电连接;S40获取所 述检测接触点的检测电平变化情况;以及,S50根据获取的检测电平变化情况 与放料正确时的标准电平变化情况比较,检测是否发生错料。

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