[发明专利]半导体器件结构的结构和形成方法有效
| 申请号： | 201510987697.0 | 申请日： | 2015-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN106206688B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;庄瑞萍;吕祯祥;陈威廷;刘又诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 形成 方法 | ||
【说明书】：
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