[发明专利]GaN基LED外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201510986523.2 | 申请日： | 2015-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN105428477A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 刘波;尹甲运;白欣娇;袁凤坡;王波;潘鹏;汪灵;周晓龙;王静辉 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 王占华 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gan led 外延 及其 制备 方法 | ||
1.一种GaN基LED外延片，其特征在于包括：4英寸硅衬底（1），所述4英寸硅衬底（1）的上表面从下到上依次为AlN/AlGaN缓冲层（2）、非故意掺杂U型GaN层（3）、硅掺杂N型GaN层（4）、InGaN/GaN多重量子阱发光层（5）、低温P型GaN层（6）、P型超晶格AlInGaN/InGaN电子阻挡层（7）以及高温P型GaN层（8）。
2.如权利要求1所述的GaN基LED外延片，其特征在于包括：所述P型超晶格AlInGaN/InGaN电子阻挡层（7）的周期数为3～10对。
3.一种GaN基LED外延片制备方法，其特征在于包括：在4英寸硅衬底（1）的上表面从下到上依次生长AlN/AlGaN缓冲层（2）、非故意掺杂U型GaN层（3）、硅掺杂N型GaN层（4）、InGaN/GaN多重量子阱发光层（5）、低温P型GaN层（6）、P型超晶格AlInGaN/InGaN电子阻挡层（7）以及高温P型GaN层（8）；
所述AlInGaN/InGaN电子阻挡层（7）的生长方法如下：使用氢气作为载气，保持Ⅴ族氮源持续通入，先通入Ⅲ族镓源、受主掺杂剂二茂镁、Ⅲ族铝源、Ⅲ族铟源，之后关闭Ⅲ族铝源，使AlInGaN与InGaN层的厚度在2nm～8nm之间。
4.如权利要求3所述的GaN基LED外延片制备方法，其特征在于：所述的生长温度保持在800°C～1000°C之间。
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