[发明专利]一种消影导电玻璃

说明书

技术领域

本发明涉及触摸屏领域，具体是一种用于电容式触摸屏的消影导电玻璃。

背景技术

公知的，电容式触摸屏所使用的ITO玻璃是一种透明导电玻璃，一般是在玻璃基板上加一层透明导电膜构成，其生产工艺是在超薄玻璃基板上通过物理沉积的方式沉积ITO透明导电膜。液晶显示器专用ITO导电玻璃，还会在镀ITO层之前，镀上一层SiO₂阻挡层，以阻止基片玻璃上的钠离子向盒内液晶里扩散。

通常电容式触摸屏使用单面ITO镀膜玻璃，经过刻蚀将ITO导电膜做成透明电极。但是由于ITO导电膜的折射率与玻璃基板的折射率不同，ITO导电膜折射率一般为1.9～2.0，而玻璃基板的折射率约为1.5，这样就会导致显示区内电极与缝隙的反射与透射有较大区别，使电极与缝隙清晰可见，影响显示效果和外观；而且触摸屏尺寸越大，ITO导电膜层厚度和电极宽度就越大，电极与缝隙的视觉差距就越明显；另外，在光线比较明亮的环境中，特别是背后有窗户、灯光的环境中，屏幕会由于ITO电极的反射光太强而无法看清。

目前，通常有两种方法来解决上述问题，第一种是采用减少缝隙的方法来降低电极与缝隙之间的视觉差距，这种消影方法受光刻设备的限制，一般适用于小尺寸的触摸屏，对于20英寸以上屏幕的触摸屏如采用微小缝隙的方法，设备投资与制造成本高、产品合格率低。第二种方法是先将Nb₂O₅或TiO₂等高折射率材料通过磁控溅射镀到玻璃基板表面，然后再覆上SiO₂等低折射率材料层，最后再覆上ITO层。实际制作过程中，在镀完高折射率材料后，通过微调ITO方阻值的方法来获得较好的消影效果，但是这样极易造成消影效果合格时，ITO的方阻值不达标；或者是ITO的方阻值达标时，消影效果不合格，也就是电容式触摸屏无法兼顾ITO方阻值和消影效果，良品率低，不能满足市场需求。

为了解决第二种方法存在的缺点，《一种电容触摸屏用的消影结构》（公告号CN203689494U）的专利文件公开了一种消影结构，在玻璃基板上依次堆叠SiO₂膜层、ITO膜层和Si₃N₄膜层；制作时，先将ITO膜层布置于玻璃基板上，保证了ITO的方阻值一定，然后再根据ITO方阻和成膜效果去调节Si₃N₄膜层的消影效果，从而使得ITO上的线路不明显。但是在实际生产中，沉积SiO₂膜和Si₃N₄膜，通入的是氧气和氮气两种不同的反应气体，所以需要两个以上的腔室来沉积相应的膜层，或者沉积SiO₂膜后，先抽干O₂，再通入N₂，这样就会造成消影导电玻璃制作成本的增加。

发明内容

本发明的目的在于提供一种消影导电玻璃，该消影导电玻璃在保证显示效果的前提下，能够降低工艺难度，减少生产成本，提高生产效率。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种消影导电玻璃，包括玻璃基板，玻璃基板上依次设有SiO₂膜层、ITO膜层与高折射率膜层，所述高折射率膜层为Nb₂O₅膜层或TiO₂膜层。

进一步的，所述玻璃基板采用钠钙基基片玻璃或硅硼基基片玻璃，玻璃基板的厚度为0.3mm～1.1mm。

进一步的，所述Nb₂O₅膜层或TiO₂膜层的厚度为5nm～30nm。

进一步的，所述SiO₂膜层的厚度为10nm～100nm。

进一步的，所述ITO膜层的厚度为10nm～50nm。

本发明的有益效果是，采用Nb₂O₅膜层或TiO₂膜层作为高折射率膜层，在满足ITO方阻值的同时消除蚀刻阴影，保证显示效果；由于采用氧化物膜层，在沉积时只需要通入氧气这一种反应气体，更换靶材就可以实现不同膜层的沉积，在一个腔室里就能够完成，无需增加额外溅射腔室，减少生产设备的投入降低成本；另外，对不同膜层可以连续沉积，不需要经过抽放气环节，降低工艺难度，提高了生产效率。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明：