[发明专利]一种用于半导体晶片剥去光刻胶装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体刻蚀工艺领域，具体涉及一种用于半导体晶片剥去光刻胶装置。

背景技术

在半导体刻蚀工艺领域中，许多情况下，在刻蚀工艺后需要对晶片进行刻蚀后处理，也即去光刻胶处理。现有技术中的系统设备中，仅具有刻蚀功能，经刻蚀的半导体晶片需要被移出上述系统设备后，放入另外用于剥去光刻胶系统进行去光刻胶处理。现有技术的工艺设备及方法，由于需要将刻蚀后的晶片进行转移后完成去光刻胶处理，浪费了大量的时间，极大的影响了晶片的生产量。同时去光刻胶工艺需要在高温环境（200度以上）下进行，否则反应速度达不到经济要求，所以去光刻胶反应腔内安装晶片的机台内还还需要设置一个加热器，以加热刚完成等离子刻蚀工艺的晶圆。但是传统加热器由于是从下向上传递热量对晶片进行加热的，所以需要隔一段时间才能使得晶片表面温度达到要求，而且大量的热量在传递过程中没有向上到达晶片，而是向下或者向四周经过传递或者辐射到了光刻胶反应腔的其它部分，所以传统的电阻加热器在光刻胶反应腔中使用效率低下而且反应时间慢。

发明内容

本发明的目的在于提供一种用于半导体晶片剥去光刻胶装置，在处理腔上方设置加热器，将处理腔与真空进样腔连接，同时确保传输腔能够分别与处理腔、真空进样腔及刻蚀腔相互贯通，实现晶片的传递。本发明提供的用于半导体晶片剥去光刻胶装置能够避免浪费晶片转移的时间，提高晶片的生产量。本发明中，在进行晶片去光刻胶处理时，在处理腔上方设置加热器，由于晶片表面积较小，采用灯加热器直接加热晶片表面能够有效地实现去光刻胶处理，同时节约能源。

为了达到上述目的，本发明通过以下技术方案实现：

一种用于半导体晶片剥去光刻胶装置，包含支撑架；其特点是，该装置包含：

至少一个处理腔，设置在所述支撑架上；

至少一个真空进样腔，与所述至少一个处理腔连接；

至少一个加热器，设置在对应所述至少一个处理腔的上方，所述至少一个加热器为辐射加热器；

至少一个刻蚀腔，设置在所述支撑架上；

传输腔，设置在所述支撑架上，并使得晶片在所述至少一个处理腔、所述至少一个真空进样腔及所述至少一个刻蚀腔之间传输。

所述至少一个加热器的工作功率≥10Kw，使得所述晶片在灯加热器的照射下在10s内该晶片表面达到200℃-270℃的温度。

所述真空进样腔与所述处理腔相互连通。

所述真空进样腔靠近所述传输腔的一侧设有第一真空传递门；所述真空进样腔的另一侧设有晶片送入门；该真空进样腔内设有放置台，用于放置晶片。

所述处理腔内包含：

反应窗及隔板组件，设置在所述处理腔顶部；所述加热器透过所述反应窗及隔板组件对放入所述处理腔内的晶片进行加热；

离子喷射器，设置在所述处理腔外部，向该处理腔内部喷射等离子反应气体；

基台，设置在所述处理腔内；晶片设置在所述基台上；

第二真空传递门，设置在所述处理腔靠近所述传输腔的侧壁上；所述传输腔通过所述第二真空传递门将晶片送入所述处理腔的所述基台上。

所述至少一个刻蚀腔设有第三真空传递门；所述传输腔通过所述第一真空传递门与所述真空进样腔进行晶片传递，所述传输腔通过所述第二真空传递门与所述处理腔进行晶片传递，所述传输腔通过所述第三真空传递门与所述至少一个刻蚀腔进行晶片传递。

所述真空进样腔分别设置在一对所述处理腔之间。

所述真空进样腔靠近所述传输腔的一侧设有第一真空传递门；所述真空进样腔的另一侧设有晶片送入门；该真空进样腔内设有一对放置台，所述一对放置台上下相叠设置，每个所述放置台用于放置晶片。

每个所述处理腔内包含：

反应窗及隔板组件，设置在所述处理腔顶部；所述加热器透过所述反应窗及隔板组件对放入所述处理腔内的晶片进行加热；

离子喷射器，设置在所述处理腔外部，向该处理腔内部喷射等离子反应气体；

基台，设置在所述处理腔内；晶片设置在所述基台上；

第二真空传递门，设置在所述处理腔靠近所述传输腔的侧壁上；所述传输腔通过所述第二真空传递门将晶片送入所述处理腔的所述基台上。

所述至少一个刻蚀腔设有第三真空传递门；所述传输腔通过所述第一真空传递门与所述真空进样腔进行晶片传递，所述传输腔通过所述第二真空传递门与所述处理腔进行晶片传递，所述传输腔通过所述第三真空传递门与所述所述至少一个刻蚀腔进行晶片传递。

本发明与现有技术相比具有以下优点：