[发明专利]静电防护电路及其可控硅整流器

权利要求书

1.一种用于静电防护的可控硅整流器，包括：

衬底；

深埋层，位于该衬底之上；

第一类型阱区，位于该深埋层之上，包括互相间隔的第一子阱区和第二子阱区；

第二类型阱区，位于该深埋层之上且介于该第一子阱区和该第二子阱区之间以将该第一子阱区和该第二子阱区隔离，其中该第二类型阱区的横向尺寸与该可控硅整流器的触发电压和保持电压关联；

第一类型掺杂区，位于该第一类型阱区的表面，包括第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区和第四掺杂区，该第一掺杂区和该第二掺杂区位于该第一类型阱区的表面的两侧，该第三掺杂区和该第四掺杂区分别与该第二类型阱区的顶部两侧相邻；

第二类型掺杂区，位于该第一类型阱区的表面，包括第五掺杂区和第六掺杂区，该第五掺杂区间隔地位于该第一掺杂区和该第三掺杂区之间，该第六掺杂区间隔地位于该第二掺杂区和该第四掺杂区之间。

2.如权利要求1所述的可控硅整流器，其特征在于，还包括场氧化层，分别覆盖该第一掺杂区和该第五掺杂区之间、该第五掺杂区和该第三掺杂区之间，该第四掺杂区和该第六掺杂区之间、该第六掺杂区和该第二掺杂区之间的第一类型阱区的表面，以及覆盖该第二类型阱区的表面。

3.如权利要求1所述的可控硅整流器，其特征在于，该第一掺杂区和该第五掺杂区连接该可控硅整流器的阳极端和阴极端之一，该第六掺杂区和该第四掺杂区连接该可控硅整流器的阳极端和阴极端之一。

4.如权利要求1所述的可控硅整流器，其特征在于，该第一类型阱区为P阱，该第二类型阱区为N阱，第一类型掺杂区为P型掺杂区，该第二类型掺杂区N型掺杂区。

5.如权利要求1所述的可控硅整流器，其特征在于，该第一类型阱区为N阱，该第二类型阱区为P阱，第一类型掺杂区为N型掺杂区，该第二类型掺杂区P型 掺杂区。

6.如权利要求4所述的可控硅整流器，其特征在于，该衬底为P型衬底，该深埋层为N型深埋层。

7.如权利要求5所述的可控硅整流器，其特征在于，该衬底为N型衬底，该深埋层为P型深埋层。

8.如权利要求1所述的可控硅整流器，其特征在于，该第二类型阱区的横向尺寸与该可控硅整流器的触发电压满足如下公式：

$V_{PT}=\frac{{\mathrm{qN}}_A}{2{\mathrm{\ϵ}}_s}{L}_A$

其中q为电子电荷，N_A为宽度为L_A的区域内的阱掺杂浓度，ε_s为硅的介电常数。

9.一种静电防护电路，包括如权利要求1-8任一项所述的可控硅整流器，该可控硅整流器连接在两电压端之间。

10.如权利要求9所述的静电防护电路，其特征在于，还包括二极管，连接在输入/输出端口与该电压端之间。