[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，包括：

步骤S1：提供半导体衬底(101)，所述半导体衬底包括核心区和输入输出区，其中，在所述核心区和所述输入输出区上均形成有若干鳍片(102)；

步骤S2：在所述鳍片(102)上形成环绕所述鳍片的含氮的栅极氧化物层(105)；

步骤S3：在所述含氮的栅极氧化物层上形成虚拟栅极(108)并在所述虚拟栅极之间形成层间介电层(107)，以填充所述虚拟栅极之间的间隙；

步骤S4：去除所述虚拟栅极，以形成虚拟开口，露出含氮的所述栅极氧化物层(105)；

步骤S5：在所述栅极氧化物层(105)和所述层间介电层(107)上形成缓冲层(106)，以覆盖所述栅极氧化物层(105)和所述层间介电层(107)；

步骤S6：去除所述核心区中的所述缓冲层(106)和所述栅极氧化物层(105)，以露出所述半导体衬底；

步骤S7：对所述输入输出区进行湿法清洗，以去除所述输入输出区中的所述缓冲层并对含氮的所述栅极氧化物层(105)清洗。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S7之后还进一步包括：

步骤S8：在所述虚拟开口中形成界面层和高K介电层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2包括：

步骤S21：选用原位水蒸气氧化的方法在所述鳍片的表面形成栅极氧化物层(105)；

步骤S22：选用去耦等离子体氮化的方法在所述栅极氧化物层中掺杂氮，以得到含氮的所述栅极氧化物层(105)；

步骤S23：执行氮化后热退火处理，以消除掺杂及修复所述栅极氧化物层(105)中的等离子体损伤。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，在形成所述栅极氧化物层(105)之前还进一步包括对所述鳍片执行阈值电压离子注入的步骤。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S6包括：

步骤S61：在所述输入输出区的所述缓冲层上形成保护层，以覆盖所述缓冲层；

步骤S62：去除所述核心区中所述缓冲层以及所述栅极氧化物层(105)；

步骤S63：去除所述保护层，以露出所述输入输出区中的所述缓冲层(106)。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S7中选用DHF进行所述湿法清洗。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1包括：

步骤S11：在所述核心区和所述输入输出区上形成若干鳍片(102)；

步骤S12：在所述鳍片上形成衬垫氧化物层(103)；

步骤S13：沉积隔离材料层(104)，以覆盖所述鳍片(102)；

步骤S14：回蚀刻所述隔离材料层(104)，以露出部分所述鳍片至目标高度。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S6中，选用SiCoNi制程的方法全面去除所述缓冲层(106)和所述栅极氧化物层(105)，以露出所述半导体衬底。

9.一种基于权利要求1至8之一所述的方法制备得到的半导体器件。

10.一种电子装置，包括权利要求9所述的半导体器件。