[发明专利]发光器件及照明系统

说明书

本公开提供了一种发光器件及照明系统。该发光器件包括：本体，具有腔和围绕所述腔的台阶状结构；多个电极，位于所述腔中；发光芯片，位于所述腔中；透明窗，具有设置在所述台阶状结构上的外部；以及粘结构件，位于所述透明窗和所述本体之间。所述粘结构件包括：第一粘结构件，位于所述透明窗的外底表面和所述台阶状结构的底部之间；以及第二粘结构件，位于所述透明窗的所述外部与所述本体之间。本公开可以改进发光器件的粘结强度。

相关申请的交叉引用

本申请要求申请号为10-2014-0186826(申请日为2014年12月23日)的韩国专利申请和申请号为10-2015-0015562(申请日为2015年1月30日)的韩国专利申请的优先权，这些专利申请通过引用的方式以其整体并入本文。

技术领域

实施例涉及一种发光器件及照明系统。

背景技术

一般而言，包括例如为第V族的氮(N)的源和例如为第III族的镓(Ga)、铝(Al)或铟(In)的源的氮化物半导体材料具有优良的热稳定性和直接跃迁能带结构。因此，氮化物半导体材料已经广泛作为用于氮化物半导体器件的材料使用，(即，UV氮化物半导体)以及太阳能电池材料。

氮化物基材料具有在0.7eV到6.2eV范围内的宽能带隙，这与太阳能电池的频谱匹配。因此，氮化物材料已经主要用作用于太阳能电池的材料。尤其是，UV发光器件已经在各种工业领域中得到应用，例如硬化器件、医学分析器、固化设备以及杀菌和净化系统。UV发光器件已经作为对作为半导体照明光源的典型照明来说将来可利用的材料而引人注目。

发明内容

本公开实施例提供一种成密封结构的具有透明窗的发光器件。

根据一实施例，提供了一种发光器件，包括：本体，具有腔和围绕所述腔的台阶状结构；多个电极，位于所述腔中；发光芯片，位于所述腔中；透明窗，具有设置在所述台阶状结构上的外部来覆盖所述腔；以及粘结构件，位于所述透明窗和所述本体之间。所述粘结构件包括：第一粘结构件，位于所述透明窗的外底表面和所述台阶状结构的底部之间；以及第二粘结构件，位于所述透明窗的所述外部与所述本体之间。

根据另一实施例，提供了一种发光器件，包括：本体，具有腔和围绕所述腔的台阶状结构；多个电极，位于所述腔中；发光芯片，位于所述腔中；透明窗，具有设置在所述台阶状结构上的外部来覆盖所述腔；以及粘结构件，位于所述透明窗和所述本体之间，其中所述台阶状结构包括：凹槽，在低于底部的深度的深度处布置在所述底部的外部中，所述透明窗包括从所述透明窗的外下部延伸到所述凹槽的突出部，以及第一粘结构件设置在所述凹槽中以与所述突出部接合，并且第二粘结构件位于所述透明窗的所述外部与所述本体之间。

根据另一实施例，提供了一种发光器件，包括：本体，具有腔和围绕所述腔的台阶状结构；多个电极，位于所述腔中；发光芯片，位于所述腔中；透明窗，具有设置在所述台阶状结构上的外部来覆盖所述腔；以及粘结构件，位于所述透明窗和所述本体之间，其中所述透明窗包括：透射部件，用于透射紫外波长：以及阻挡部件，设置在所述透射部件的边缘来阻挡所述紫外波长，以及其中所述阻挡部件被布置在所述粘结构件上。

采用本申请实施例的方案，可以改进发光器件的粘结强度。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的发光器件的剖视图。

图2是示出图1的发光器件的局部放大视图。

图3是示出根据第二实施例的发光器件的剖视图。

图4是示出图3的发光器件的局部放大视图。

图5是示出根据第三实施例的发光器件的剖视图。

图6是示出根据第四实施例的发光器件的剖视图。

图7是示出图6的发光器件的局部放大视图。