[发明专利]一种自稳压LC压控振荡器有效

专利信息
申请号: 201510976915.0 申请日: 2015-12-22
公开(公告)号: CN105529993B 公开(公告)日: 2018-10-12
发明(设计)人: 许美程;沈剑均 申请(专利权)人: 江苏星宇芯联电子科技有限公司
主分类号: H03B5/12 分类号: H03B5/12;H03L7/099
代理公司: 南京苏创专利代理事务所(普通合伙) 32273 代理人: 蒋真
地址: 210000 江苏省南京*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 稳压 lc 压控振荡器
【说明书】:

发明公开了一种自稳压LC压控振荡器,它包含第一PNP管Q1和第二PNP管Q2,第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3,第一运放A1,功率管MP,第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4,电感L1,开关S1,第一电容C1和第二电容C2,第三积累型MOS管可变电容C3和第四积累型MOS管可变电容C4。通过电流复用的方式,将LC压控振荡器和带隙基准稳压源上下串连起来,极大地降低了功耗和噪声。

技术领域

本发明是应用于频率综合器中的自稳压LC压控振荡器模块,其用途在于输出高质量的时钟信号,为无线射频通信芯片提供低噪声的本地载波,或为模数转换器提供高稳定的采样时钟等。

背景技术

目前,在主流的CMOS工艺中设计LC压控振荡器(VCO),结构和技术都已比较成熟,但为了满足现代通信系统对低功耗、低噪声和高集成的需求,通常芯片内集成为VCO供电的低压差线性稳压器(LDO)。其结构一般如图1所示,PNP管Q1和Q2,电阻R1:R3和运放A1组成了带隙基准稳压源(Bandgap)。运放A2、功率管MP和片外电容Cext组成了低压差线性稳压器(LDO)。MOS管M1~M5,电感L1,开关S1,电容C1和C2,积累型MOS管可变电容C3和C4组成了LC压控振荡器(VCO)。其中带隙基准稳压源(Bandgap)负责提供与温度和供电电压无关的参考电压,低压差线性稳压器(LDO)负责为LC压控振荡器(VCO)提供稳定的供电电压和充足的供电电流。因为带隙基准稳压源(Bandgap)和低压差线性稳压器(LDO)的噪声都对LC压控振荡器(VCO)输出的相噪有着极大的影响,所以带隙基准稳压源(Bandgap)和低压差线性稳压器(LDO)都需要较大的电流来压低噪声,并且低压差线性稳压器(LDO)还需要一个片外电容Cext来改善环路稳定性。因此如图1所示的结构并不能够很好地满足现代通信系统对低功耗和高集成的需求,本发明将提出一种新的结构,通过电流复用的方法解决上述问题。

发明内容

本发明在于提出一种新型自稳压LC压控振荡器,通过电流复用的方法满足现代通信系统对低功耗、低噪声和高集成的需求。

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