[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201510974152.6 | 申请日： | 2015-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN106910679B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 郑二虎;胡敏达;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，包括：
步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成有功能材料层、硬掩膜层、无定形材料层以及图案化的掩膜层；
步骤S2：以所述图案化的掩膜层为掩膜部分地蚀刻所述无定形材料层，以形成凹槽，接着在所述凹槽的侧壁上形成用以支撑所述无定形材料层的间隙壁，以使所述无定形材料层更加坚固；
步骤S3：重复所述步骤S2至在所述无定形材料层中形成目标图案并露出所述硬掩膜层，同时所述间隙壁向下延伸至所述目标图案的底部；其中，所述步骤S2包括：
步骤S21：以所述图案化的掩膜层为掩膜部分地蚀刻所述无定形材料层，以形成所述凹槽；
步骤S22：去除所述凹槽侧壁上在蚀刻过程中形成的应力层，以露出所述凹槽的侧壁；
步骤S23：在露出的所述凹槽的侧壁上形成间隙壁，以使所述无定形材料层更加坚固。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
步骤S4：以所述无定形材料层为掩膜，蚀刻所述硬掩膜层，以在所述硬掩膜层中形成所述目标图案；
步骤S5：以所述无定形材料层和所述硬掩膜层为掩膜蚀刻所述功能材料层，以将所述目标图案转移至所述功能材料层中。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中：
步骤S21：选用包含硫化羰的等离子体部分地蚀刻所述无定形材料层，以形成所述凹槽；
步骤S23：在所述凹槽的表面沉积间隙壁材料层，以覆盖所述凹槽的表面并使所述无定形材料层更加坚固。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S22中选用Ar、CH4、N2和CO2中的一种或多种冲刷以去除所述应力层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述间隙壁选用硅。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述间隙壁在N2和Ar气氛中，在直流电的条件下沉积。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述无定形材料层选用无定形碳。
8.一种如权利要求1至7之一所述方法制备得到的半导体器件。
9.一种电子装置，包括权利要求8所述的半导体器件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
