[发明专利]一种掩模更换装置及高通量样品制备方法

权利要求书

1.一种掩模更换装置，其特征在于：包括有能够进行转动的掩模转台(1)、用于驱动所述掩模转台(1)进行转动的第一驱动装置(11)、用于放置基片的基片台(2)，用于驱动基片台(2)进行转动和升降的第二驱动装置(21)，所述掩模转台(1)与所述第一驱动装置(11)传动连接，所述基片台(2)和所述第二驱动装置(21)传动连接；

所述转台(1)上具有多个用于放置分立掩模的掩模安装位(12)，放置在所述掩模安装位(12)内的分立掩模能够随着掩模转台(1)对应转动至所述基片台(2)的上方。

2.根据权利要求1所述的掩模更换装置，其特征在于：所述掩模转台(1)上具有能够供所述基片台(2)通过的连续掩模工作位(13)。

3.根据权利要求2所述的掩模更换装置，其特征在于：还包括有连续掩模板(3)和用于驱动连续掩模板(3)线性移动的第三驱动装置(31)，所述连续掩模板(3)传动连接在所述第三驱动装置(31)上，所述连续掩模板(3)能够在第三驱动装置(31)的驱动下对应于基片台(2)的位置在基片台(2)的上方线性移动。

4.根据权利要求3所述的掩模更换装置，其特征在于：还包括有一机架(4)，所述第一驱动装置(11)、第二驱动装置(21)、第三驱动装置(31)均设置在所述机架(4)内，所述掩模转台(1)传动连接在第一驱动装置(11)的上端，所述基片台(2)传动连接在第二驱动装置(21)的上端，所述基片台(2)对应于所述连续掩模工作位(13)的位置设置，所述连续掩模板(3)位于了所述掩模转台(1)的上方并在第三驱动装置(31)的驱动下在连续掩模工作位(13)上方线性水平移动。

5.根据权利要求4所述的掩模更换装置，其特征在于：所述机架(4)上设置有用于限位所述连续掩模板(3)移动方向的限位装置(32)。

6.根据权利要求4所述的掩模更换装置，其特征在于：所述连续掩模板(3)通过传动装置(33)连接在所述第三驱动装置(31)上。

7.根据权利要求3～6任一权利要求所述的掩模更换装置，其特征在于：所述连续掩模板(3)为连续掩模或者为能够更换放置不同掩模的掩模台。

8.一种高通量样品的制备方法，其特征在于：包括高通量样品的分立掩模制备方法、高通量样品的连续掩模制备方法和交叉制备方法；

所述高通量样品的分立掩模制备方法包括以下步骤：

步骤A1、将基片放置在基片台(2)上，将所有需要的分立掩模安装在掩模转台(1)的分立掩模安装位(12)上；

步骤A2、根据材料样品的分布要求，掩模转台(1)在第一驱动装置(11)的驱动下转动，进而将当次需要的分立掩模转动至基片的上方；

步骤A3、第二驱动装置(21)根据需要驱动基片台(2)转动所需角度，以将基片相对于分立掩模的相对水平角度调整至需要的相对位置，然后第二驱动装置(21)驱动基片台(2)向上移动，使得基片紧密贴覆在分立掩模上；

步骤A4、在基片上进行当次材料的沉积；

步骤A5、第二驱动装置(21)驱动基片台(2)向下移动，使得基片离开分立掩模；

步骤A6、返回步骤A2，直至按照工艺参数要求完成所有材料在基片上的沉积；

所述高通量样品的连续掩模制备方法包括以下步骤：

步骤B1、将基片放置在基片台(2)上，保证掩模转台(1)上的连续掩模工作位(13)对应于基片台(2)；

步骤B2、第二驱动装置(21)驱动基片台(2)上下移动以将基片与连续掩模板(3)间的垂直间隙调整到要求的距离，同时根据需要第二驱动装置(21)驱动基片台(2)转动所述角度，以将基片相对于连续掩模板(3)的相对水平角度调整至需要的相对位置；

步骤B3、根据当次材料沉积厚度的要求，第三驱动装置(31)驱动所述连续掩模板(3)向基片方向按照所需速度线性移动；

步骤B4、在连续掩模板(3)经过基片上方时，在基片上进行当次材料沉积；

步骤B5、当次材料沉积完成后，第三驱动装置(31)驱动所述连续掩模板(3)退回到初始位置；

步骤B6、返回步骤B2，直至按照工艺参数要求完成所有材料在基片上的沉积；

交叉制备方法包括以下步骤：

步骤C1、将基片放置在基片台(2)上，将需要安装在掩模转台(1)的掩模安装位(12)上的掩模安装在对应的掩模安装位(12)上；

步骤C2、根据材料样品的分布要求，交替使用所述分立掩模制备方法中的步骤A2～步骤A5和所述连续掩模制备方法中的步骤B2～步骤B5，在使用所述连续掩模制备方法中的步骤B2～步骤B5前，使用第一驱动装置(11)驱动掩模转台(1)转动，以使得掩模转台(1)上的连续掩模工作位(13)对应于基片台(2)；

步骤C3：在基片上沉积所需材料，直至按照工艺参数要求完成所有材料在基片上的沉积。