[发明专利]一种Ge-Sb-Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201510970708.4 | 申请日： | 2015-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN105514270A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 晏雨枫;李洋;李欣欣;吴晓丽;胡益丰;朱小芹;邹华;吴卫华;张建豪;眭永兴 | 申请（专利权）人： | 江苏理工学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 张建纲 |
| 地址： | 213001 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ge sb se 纳米 相变 薄膜 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种Ge-Sb-Se纳米相变薄膜材料，其特征在于：所述Ge-Sb-Se纳米相变薄膜材料是由锗、 锑、硒三种元素组成。
2.根据权利要求1所述的Ge-Sb-Se纳米相变薄膜材料，其特征在于：所述Ge-Sb-Se纳米相 变薄膜材料的化学通式为：GexSb(100-x)/2Se(100-x)/2，其中10<x<30。
3.根据权利要求2所述的Ge-Sb-Se纳米相变薄膜材料，其特征在于：所述Ge-Sb-Se纳米相 变薄膜材料的厚度为98～102nm。
4.一种根据权利要求1至3任一所述Ge-Sb-Se纳米相变薄膜材料的制备方法，其特征在于： 所述制备方法采用磁控溅射法或化学气相沉积法。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射法包括以下具体方法：靶材 为GexSb(100-x)/2Se(100-x)/2复合靶，10<x<30，即在Sb50Se50靶中心叠放Ge片，溅射气体为 高纯Ar气，溅射功率为20W，本底真空度小于1×10-4Pa，溅射功率为15～25W。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所用的衬底为SiO2/Si(100)基片。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述Ar气的纯度为体积百分比99.999％ 以上，气体流量为25～35sccm，溅射气压为0.15～0.25Pa。
8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述Ge片的原子百分比纯度大于99.999％， 形状为圆形。
9.一种根据权利要求1至3任一所述Ge-Sb-Se纳米相变薄膜材料在高稳定相变存储器领域 的应用。
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