[发明专利]互补金属氧化物半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种互补金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述互补金属氧化物半导 体器件包括：

基板，所述基板包括相对设置的第一表面及第二表面；

设置在所述第一表面中部的第一金属层；

设置在所述第一金属层以及未覆盖所述第一金属层的所述第一表面的绝缘 层；

设置在所述绝缘层上且对应所述第一金属层设置的第一类型金属氧化物半 导体层；

分别间隔设置在所述绝缘层上的第一金属部、第二金属部及第三金属部， 所述第一金属部及所述第二金属部间隔设置在所述第一类型金属氧化物半导体 层两侧且均与所述第一类型金属氧化物半导体层接触，所述第二金属部设置在 所述第一金属部与所述第三金属部之间，其中，所述第一金属部、所述第二金 属部及所述第三金属部定义为第二金属层；

第二类型有机半导体层，所述第二类型有机半导体层设置在所述第二金属 部与所述第三金属部之间的间隙，以及邻近所述间隙的第二金属部及所述第三 金属部上；

钝化层，设置在所述第一金属部、所述第二金属部及所述第三金属部、所 述第一金属部与所述第二金属部之间的第一类型金属氧化物半导体层、以及所 述第二类型有机半导体层上；

第三金属层，设置在所述钝化层上且对应所述第二类型有机半导体层设置。

2.如权利要求1所述的互补金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述互补 金属氧化物半导体器件还包括：

第一蚀刻阻挡层，所述第一蚀刻阻挡层上设置第一通孔，所述第一蚀刻阻 挡层设置在所述第一金属部与第一类型金属氧化物半导体层之间，所述第一金 属部通过所述第一通孔与所述第一类型金属氧化物半导体层连接。

3.如权利要求2所述的互补金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述互补 金属氧化物半导器件还包括：

第二蚀刻阻挡层，所述第二蚀刻阻挡层上设置第二通孔，所述第二蚀刻阻 挡层设置在所述第二金属部与所述第一类型金属氧化物半导体层之间，所述第 二金属部通过所述第二通孔与所述第一类型金属氧化物半导体层连接。

4.如权利要求1所述的互补金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述第一 类型金属氧化物半导体层为N型金属氧化物半导体层，所述第二类型有机半导 体层为P型有机半导体层；或者所述第一类型金属氧化物半导体层为P型金属 氧化物半导体层，所述第二类型有机半导体层为N型有机半导体层。

5.如权利要求4所述的互补金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述当所 述第一类型金属氧化物半导体层为N型金属氧化物半导体层时，第一类型金属 氧化物半导体层为IGZO或者ITZO。

6.一种互补金属氧化物半导体器件的制备方法，其特征在于，所述互补金属 氧化物半导体器件的制备方法包括：

提供一基板，所述基板包括相对设置的第一表面及第二表面；

在所述第一表面中部形成第一金属层；

形成覆盖所述第一金属层及未覆盖所述第一金属层的所述第一表面的绝缘 层；

在所述绝缘层上且对应所述第一金属层形成第一类型金属氧化物半导体层；

在所述绝缘层上形成间隔设置的第一金属部、第二金属部及第三金属部， 所述第一金属部及所述第二金属部间隔设置在所述第一类型金属氧化物半导体 层两侧且均与所述第一类型金属氧化物半导体层接触，所述第二金属部设置在 所述第一金属部与所述第三金属部之间，其中，所述第一金属部、所述第二金 属部及所述第三金属部定义为第二金属层；

对应所述第二金属部与所述第三金属部之间的间隙，以及邻近所述间隙的 第二金属部及第三金属部上形成第二类型有机半导体层；

在所述第二类型有机半导体层上形成钝化层；

形成设置在所述钝化层上且对应所述第二类型有机半导体层设置的第三金 属层。