[发明专利]一种新型栅结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201510969720.3 | 申请日： | 2015-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN105448967A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 杨霏;郑柳;王方方;朱韫晖;吴昊;王嘉铭 | 申请（专利权）人： | 国网智能电网研究院;国家电网公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102211 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种新型栅结构，其特征在于，所述栅结构包括同平面设置的具有电极引线的栅pad区域(11)，以栅pad区域(11)为中心的发射状汇流条(12)和环状汇流条(13)，所述发射状汇流条(12)和所述环状汇流条(13)与周围元胞栅相连。
2.根据权利要求1所述的栅结构，其特征在于，所述发射状汇流条(12)和所述环状汇流条(13)的交点处与周围元胞栅相连。
3.根据权利要求1所述的栅结构，其特征在于，所述发射状汇流条(12)的宽度为1～1000μm，数量为2～1000个。
4.根据权利要求1所述的栅结构，其特征在于，所述环状汇流条(13)的宽度为1～1000μm，数量为2～1000个，所述环的直径为1～100000μm。
5.根据权利要求1所述的栅结构，其特征在于，所述栅pad区域(11)为多晶硅、单金属层或复合金属层。
6.根据权利要求1所述的栅结构，其特征在于，所述发射状汇流条(12)由多晶硅、单金属层或复合金属层制备而成。
7.根据权利要求1所述的栅结构，其特征在于，所述环状汇流条(13)由多晶硅、单金属层或复合金属层制备而成。
8.根据权利要求5-7任一项所述的栅结构，其特征在于，所述多晶硅为p型或n型的简并掺杂多晶硅，所述金属为选自Al、Ag、Cu、Ni、Ti和W中的一种或几种组份的金属。
9.一种权利要求1所述栅结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
1)在同一图层上绘制所述栅pad区域(11)、所述发射状汇流条(12)和所述环状汇流条(13)的版图；
2)制备所述栅pad区域(11)、所述发射状汇流条(12)和所述环状汇流条(13)的多晶硅层，并对其进行p型或n型的简并掺杂；
3)于所述栅pad区域(11)上制备电极引线，隔离所述发射状汇流条(12)和所述环状汇流条(13)与源电极或其他通流电极。
10.根据权利要求9所述栅结构的制造方法，其特征在于，所述步骤2)为沉积制备所述栅pad区域(11)、所述发射状汇流条(12)和所述环状汇流条(13)的单金属或复合金属层。
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