[发明专利]一种基于载体的扇出2.5D/3D封装结构在审
| 申请号： | 201510969543.9 | 申请日： | 2015-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN105428331A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 侯峰泽;苏梅英;徐成 | 申请（专利权）人： | 成都锐华光电技术有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/32;H01L23/488 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 易小艺;詹永斌 |
| 地址： | 610041 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 载体 2.5 封装 结构 | ||
1.一种基于载体的扇出2.5D/3D封装结构，其特征在于：包括TSV转接板（1）、倒装芯片（2）、底部填充胶（3）、塑封料（4）、BGA焊球（5），倒装芯片（2）倒装焊在TSV转接板（1）的正面；塑封料（4）包封倒装芯片（2）以及TSV转接板（1），并裸露TSV转接板（1）背面；TSV转接板（1）背面植BGA焊球（5），底部填充胶（3）位于倒装芯片（2）与TSV转接板（1）之间。
2.根据权利要求1所述的一种基于载体的扇出2.5/3D封装结构，其特征在于：所述倒装芯片（2）为单颗裸芯片，或多颗裸芯片，或单组多层堆叠芯片组件，或若干组多层堆叠芯片组件，或裸芯片和多层堆叠芯片的组合。
3.根据权利要求2所述的一种基于载体的扇出2.5/3D封装结构，其特征在于：所述单颗裸芯片倒装焊在每个TSV转接板（1）上；所述多颗裸芯片分别倒装焊在每个TSV转接板（1）上；所述单组多层堆叠芯片组件组装在每个TSV转接板（1）上；所述若干组多层堆叠芯片组件分别组装在每个TSV转接板（1）上；所述裸芯片和多层堆叠芯片分别组装在每个TSV转接板（1）上。
4.根据权利要求1所述的一种基于载体的扇出2.5/3D封装结构，其特征在于：所述TSV转接板（1）为硅转接板，硅转接板上设有转接板硅通孔（6），转接板硅通孔里电镀铜；TSV转接板（1）正面和背面分别设有再布线层Ⅰ（7）和再布线层Ⅱ（8）。
5.根据权利要求1所述的一种基于载体的扇出2.5/3D封装结构，其特征在于：所述TSV转接板（1）正面有多层再布线层Ⅰ（7），再布线层Ⅰ（7）与倒装芯片（2）之间有微凸点（9）。
6.根据权利要求1所述的一种基于载体的扇出2.5/3D封装结构，其特征在于：所述TSV转接板（1）背面与BGA焊球（5）之间还依次设有钝化层1（10）、种子层1（11）、再布线层Ⅱ（8），钝化层2（12）、种子层2（13）、UBM底部金属层（14）。
7.根据权利要求6所述的一种基于载体的扇出2.5/3D封装结构，其特征在于：所述种子层1（11）、再布线层Ⅱ（8）、种子层2（13）和UBM底部金属层（14）互连。
8.根据权利要求1所述的一种基于载体的扇出2.5/3D封装结构，其特征在于：所述倒装芯片（2）通过微凸点（9）、再布线层Ⅰ（7）、转接板硅通孔（6）、再布线层Ⅱ（8）、UBM底部金属层（14）和BGA焊球（5）互连。
9.根据权利要求6所述的一种基于载体的扇出2.5/3D封装结构，其特征在于：所述钝化层材料为PI或PBO，种子层材料为Ti/Cu。
10.根据权利要求4-8中任一项所述的一种基于载体的扇出2.5/3D封装结构，其特征在于：所述再布线层Ⅰ（7）或再布线层Ⅱ（8）的厚度约为3~5μm，材料为铜。
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