[发明专利]数据存储装置及其操作方法与数据处理系统

说明书

本发明提供了一种操作数据存储装置的方法，其能够补偿多个存储器单元的初始阈电压漂移。所述方法包括：产生针对第一写地址的第一压缩值，所述第一写地址对应于在不同的时间间隔中的第一时间间隔期间输入的第一写请求；以及将第一压缩值存储在多个表中的第一表中。本发明还提供了一种数据存储装置和数据处理系统。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2014年12月23日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2014-0186967的优先权，该申请的全部内容以引用方式并入本文中。

技术领域

本发明构思的实施例涉及一种数据存储装置、其操作方法和包括该数据存储装置的数据处理系统，更具体地说，涉及一种包括表的数据存储装置，所述表存储针对在预定时段输入的地址的压缩值作为用于补偿初始阈电压的漂移的值。

背景技术

用于存储数据的存储器装置可划分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。存储器装置的特性会随着使用环境、使用次数和/或使用时间而变化。

闪速存储器装置是在单个编程操作中对多个存储器单元进行擦除或编程的电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)的示例。在利用浮置栅极技术的闪速存储器装置中，就可靠性而言，数据保持特性和质量不劣化的编程-擦除(P/E)循环的次数(即，耐久性)是重要问题。

在位于闪速存储器装置内的闪速存储器单元中存储的电荷或电子会通过各种失效机制从浮置栅极泄漏，所述失效机制诸如通过有缺陷的极间绝缘膜的热离子发射、电荷扩散、离子杂质或编程干扰应力。这种泄漏将导致阈电压的降低。

重复的P/E循环对闪速存储器单元的存储器晶体管氧化膜造成应力，并且该应力会在闪速存储器单元中导致失效。闪速存储器单元的阈电压会由于该应力而漂移(增大或减小)。例如，电子会从经编程的闪速存储器单元的浮置栅极泄漏。因此，经编程的闪速存储器单元的阈电压分布会朝着更低的电压漂移。

闪速存储器单元的初始阈电压会具有基于工艺和设计目标的有限分布。然而，初始阈电压的分布根据使用环境、使用次数和/或使用时间而改变。当在包括闪速存储器单元的存储器装置上执行编程操作或读操作时，需要适当地控制初始阈电压分布。当没有适当地控制初始阈电压分布时，在存储器装置上不能适当地执行程序或读操作。

发明内容

本发明构思的各个实施例提供了一种数据存储装置、一种操作所述数据存储装置的方法，以及包括所述数据存储装置的数据处理系统，所述数据存储装置包括存储针对在预定时段输入的地址的压缩值作为用于补偿初始阈电压漂移的值的表，以确保合适的操作。

根据本发明构思的实施例，提供了一种操作数据存储装置的方法，其能够补偿多个存储器单元的初始阈电压漂移。该方法包括：产生针对第一写地址的第一压缩值，所述第一写地址对应于在不同的时间间隔中的第一时间间隔期间输入的第一写请求；以及将第一压缩值存储在多个表中的第一表中。

将第一压缩值存储在第一表中的步骤可包括：利用对应于第一写请求的第一时间戳从所述多个表中选择第一表；以及将第一压缩值存储在选中的第一表中。

所述方法还可包括步骤：产生针对读地址的第二压缩值，所述读地址对应于在所述不同的时间间隔中的第二时间间隔期间输入的读请求；在所述多个表中搜索存储了与第二压缩值相同的第一压缩值的第一表；基于第一表的索引补偿所述存储器单元的初始阈电压漂移；以及利用对应于补偿后的初始阈电压漂移的读电压执行对应于所述读请求的读操作。所述不同的时间间隔可分别对应于所述多个表。

可基于对应于读请求的第二时间戳和第一表的索引执行补偿初始阈电压漂移的步骤。另外，补偿初始阈电压漂移的步骤可包括：基于第二时间戳和第一表的索引产生控制码；将所述控制码存储在包括所述多个存储器单元的存储器中；以及利用存储在存储器中的控制码补偿所述存储器单元的初始阈电压漂移。