[发明专利]一种离子源磁场分布结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种离子源磁场分布结构，属于真空技术领域。

背景技术

现有离子源磁场分布结构技术中，气体由内外阴极间的狭缝通过时，离子源阴极溅射容易导致一些恶劣情况，比如：污染基片；污染阳极；阴极与阳极绝缘不好，使工作不稳，甚至离子源无法起辉光开始工作。鉴于此，有必要对传统的离子源磁场分布结构进行改进，以此来解决目前存在的问题。

发明内容

本发明要解决的技术问题是克服现有的缺陷，提供一种离子源磁场分布结构，可以有效解决背景技术中的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供了如下的技术方案：

本发明提供一种离子源磁场分布结构，包括外磁钢、阳极、靶材、内磁钢、磁钢座、阴极和靶座构成。

作为本发明的一种优选技术方案，所述外磁钢及内磁钢安装于磁钢座内部，整体安装于靶座上，所述靶材安装于磁钢座上。

作为本发明的一种优选技术方案，所述阴极充入冷却水冷却磁钢及靶材，同时通入负电压。

作为本发明的一种优选技术方案，所述阳极通入正电压且与阴极绝缘，同时通入气体。

作为本发明的一种优选技术方案，所述阴极为纯铁或纯石墨，所述纯石墨的内外阴极狭缝为直边。

本发明所达到的有益效果是：

1、本发明整体结构简单、外观简洁、便于自动控制；

2、本发明通用性好，使用安全、便于维护、成本较低的显著有益效果。

附图说明

附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。

在附图中：

图1是本发明阴极为纯铁的具体实施例的整体结构示意图；

图2是本发明阴极为纯石墨的具体实施例的整体结构示意图；

图中标号：1、外磁钢；2、阳极；3、靶材；4、内磁钢；5、磁钢座；6、阴极；7、靶座。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。

实施例1：如图1所示，一种离子源磁场分布结构，包括外磁钢1、阳极2、靶材3、内磁钢4、磁钢座5、阴极6和靶座7构成，所述外磁钢1及内磁钢4安装于磁钢座5内部，整体安装于靶座7上，所述靶材3安装于磁钢座5上，该结构中阴极6为纯铁。

该结构运行时，由阴极6充入冷却水冷却磁钢及靶材3，同时通入负电压；由阳极2通入正电压且与阴极6绝缘，同时通入气体，气体由内外阴极间的狭缝通过时，迅速被聚在拱形磁场中间并被离化，通过这样的方式，实现离化率高的同时阴极不溅射的目的，并具有通用性好，使用安全、方便和成本较低的显著有益效果。

实施例2：如图2所示，一种离子源磁场分布结构，包括外磁钢1、阳极2、靶材3、内磁钢4、磁钢座5、阴极6和靶座7构成，该结构中的阴极6由原来的纯铁更换为纯石墨，同时纯石墨的内外阴极狭缝为直边。

该结构运行时，由阴极6充入冷却水冷却磁钢及靶材3，同时通入负电压；由阳极2通入正电压且与阴极6绝缘，同时通入气体，气体由内外阴极间的狭缝通过时，迅速被聚在拱形磁场中间并被离化，通过这样的方式，实现离化率高的同时阴极不溅射的目的，并具有通用性好，使用安全、方便和成本较低的显著有益效果。

最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。