[发明专利]一种具有发散/汇聚纳米流道结构的单电极调控离子三极管及其特性调节方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种离子三极管，特别是一种具有发散/汇聚纳米流道结构的离子三极管及其特性调节方法。

背景技术

微细尺度下的物质输运，特别是在微通道和多孔基体中的流体流动特性以及强化热质输运得到了广泛的关注。近年来，随着MEMS(微机电系统)技术的发展，纳米机构的制备及其应用得到了广泛的关注。例如Lu等采用纳米压印技术制备超细(～4nm)Nb(铌)丝用于超导测试；H.Yu等和David.C等对应用于生物大分子研究的纳米传感器进行了研究，所制备的纳米传感器具有体积小、与现代CMOS器件兼容性高以及浓度敏感性强等特点。其中，纳流控技术作为一种先进的纳米技术，今年来也得到了学者们的广泛关注。纳流控系统采用微纳加工技术将微储液器、微泵、微阀、微通道和微电极等原件集成到芯片上，从而实现采样、流控、富集、测量和分离等功能，因此纳流控技术在生物、环境、燃料电池、航空、军事和农业等各个领域都有广泛的应用前景。

纳流控系统的近几年的一个重要应用是纳米离子三极管。与传统的半导体三极管相似，离子二极管/三极管能够实现对离子电流的放大、截止、导通等作用。上述功能的实现依靠的是离子三极管内部纳米流道壁面的双电层对离子的筛选和控制作用。因此，能够对离子三极管纳米通道的表面电荷进行有效控制是能够实现离子三极管功能的关键环节。通常，离子三极管中需要配置三个调控电极，使通道沿流动方向分为三个部分，每部分所带表面电荷电性与相邻部分相反；或者只在通道上盖中部覆盖电极，其余部分不加电极。但是纳流控系统的电极通常采用PVD或CVD(物理气相沉积或化学气相沉积)方法直接镀于基板表面，要在细小的区域内对涂覆区域进行选择对工艺提出较高要求，且需要增加掩膜、清除等步骤。上述分析表明，现有的离子三极管实现方法或需要采用多个调控电极，或需要较高难度的制造工艺，均存在一定弊端。基于此，本发明提出一种具有发散/汇聚纳米流道结构的单调控电极的离子三极管及其特性调节方法，所述调控电极覆盖于整个表面，无需对蒸镀表面进行选择，旨在解决现有离子三极管结构弊端，降低制造难度，提高其实用性、经济性。

发明内容

针对现有技术中存在的技术问题，本发明的目的是：提供一种具有发散/汇聚纳米流道结构的离子三极管及其特性调节方法，采用全新的纳米级发散/汇聚流道结构，将纳流控系统有效应用于纳米离子三极管。

为了达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种具有发散/汇聚纳米流道结构的单电极调控离子三极管，包括基板、上盖板、调控电极、驱动电极、绝缘层、储液池；驱动电极、绝缘层、储液池、基板、储液池、绝缘层、驱动电极从前往后依次设置，调控电极、绝缘层、基板、绝缘层、调控电极从左往右依次设置，基板的上端面设有从前往后延伸贯穿的宽度为纳米级的发散/汇聚纳米流道，基板上设有将发散/汇聚纳米流道覆盖的上盖板。

作为一种优选，发散/汇聚纳米流道中，发散纳米流道为中间小、前后两端开口大的结构，汇聚纳米流道为中间大、前后两端开口小的结构；发散/汇聚纳米流道的深度为微米或纳米级，可达几微米。在沿流道方向有两处位置分别形成离子浓度富集/消散区，即离子浓度最大值/最小值区。优选地，该位置为流道长度1/3和2/3处。优选的，流道的最大宽度值不超过100nm。

作为一种优选，发散/汇聚纳米流道左右对称且前后对称。

作为一种优选，发散/汇聚纳米流道的数量为一条时，位于基板的左右居中位置；发散/汇聚纳米流道的数量为两条以上时，所有发散/汇聚纳米流道沿着左右方向依次排列，且相对于基板的左右居中位置左右对称布置。

作为一种优选，发散/汇聚纳米流道的左右侧壁面为平面或弧形面。采用这种结构后，流道的前半边或后半边壁面各点距离两侧调控电极距离不同，导致沿流道方向表面电荷密度不均匀。此处所说的弧形面，指的是在俯视方向上成弧形的曲面，距离流道的左右对称中心线距离逐渐加大或逐渐减小。

作为一种优选，基板为立方体结构，位于左右两侧的调控电极和位于左右两侧的绝缘层的大小与基板的左右端面大小相等，并将基板的左右端面完全覆盖。