[发明专利]一种新型LDMOS功放管的宽带偏置匹配与保护电路

权利要求书

1.一种新型LDMOS功放管的宽带偏置匹配与保护电路，一端经电位器连接输入电压，另一端连接LDMOS功放管，其特征在于，包括温度传感器N1和运算放大器N2；

电位器RP1两个固定端分别接输入电压Vcc和接地，电位器RP1自由端接入N2正向端，RP1的自由端调节RP1电位器的接入电阻R1和未接入电阻R2的大小；

温度传感器N1紧贴LDMOS功放管安装在电路板上，温度传感器输出端电压U0通过R3接入N2的反向端；

N2输出端电压U1接入LDMOS功放管的栅极，R4连接N2反向端和N2输出端；

温度传感器N1用以采集LDMOS功放管的温度变化并输出电压U0，U0随着N1的温度线性变化；

运算放大器N2的输出电压U1与Vcc、U0、R1、R2、R4的关系式为：

N1温度升高时，U0增加，U1随之减小，通过调节R1、R2、R3和R4的电阻大小来调节U1的值，输出U1随温度的升高而线性降低，功放管的栅极电压也因此降低，抵消因温度上升而导致功放管本身工作电流上升的趋势；

还包括电流检测器件、运算放大器N4、PNP管Q1和MOS管开关Q2；

N2输出端电压U1经电位器RP2接地，RP2自由端接入N4同向端，RP2的自由端调节RP2电位器的接入电阻R5和未接入电阻R6的大小；

电流检测器件输入端接LDMOS功放管的漏极，其输出端电压U3接入N4反向端，N4输出端U4接入PNP管Q1的发射极，Vdd接入Q1的集电极和MOS管开关Q2的源极，Q1的基极通过R10和R11接地，同时，Vdd通过R11接地，Q2栅极接Q1基极，Q2漏极接LDMOS漏极；

温度传感器N1的输出电压U0经过运算放大器N2输出转换为输出电压U1，经电位器RP2再接到运算放大器N4的阈值端NON；电流检测器件将LDMOS功放管的漏极电流信号转换为输出电压U3，并输入到运算放大器N4的反向端，运算放大器N4的输出端U4通过电路连接到PNP管Q1和MOS管开关Q2；阈值端NON的值随温度升高而线性降低，通过RP2合理设置阈值NON，当电流和温度过高时，阈值NON减小，使得U3输出为零，关断Q2，进而关断正压Vdd，从而关断LDMOS功放管。

2.根据权利要求1所述的新型LDMOS功放管的宽带偏置匹配与保护电路，其特征在于：

运算放大器N2和LDMOS功放管之间设置运算放大器N3；N2输出端U1接入N3同向端，N3的反向端和输出端相连，运算放大器N3的输出端电压U2＝U1，N3输出端接入LDMOS功放管的栅极，用以稳定LDMOS功放管的栅极电压。

3.根据权利要求1或2所述的新型LDMOS功放管的宽带偏置匹配与保护电路，其特征在于：LDMOS功放管的漏极电压为通过两根导线相互缠绕反向穿入铁氧体磁环加到功放管漏极。