[发明专利]一种双目测量方法及其装置在审
| 申请号: | 201510963212.4 | 申请日: | 2015-12-17 |
| 公开(公告)号: | CN105634469A | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
| 发明(设计)人: | 陈拥权;李建中;郑荣稳;鲁加旺 | 申请(专利权)人: | 安徽寰智信息科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H03K19/177 | 分类号: | H03K19/177 |
| 代理公司: | 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 | 代理人: | 张景云 |
| 地址: | 241000 安徽省芜*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 双目 测量方法 及其 装置 | ||
技术领域
本发明涉及人机交互技术领域,具体来说是一种双目测量方法及其装置。
背景技术
FPGA现场可编程门阵列,是一种可编程器件,设计人员可利用软件工具快速开发、 仿真和测试。FPGA提供了高逻辑密度、丰富的特性,被广泛应用,如数据处理和存储,以及 仪器仪表、电信和数字信号处理等,具有开发周期短、可靠性高等优点。
目前,传统的基于SRAM的FPGA是目前市场上最常用的品种。如图1所示基于SRAM存储器的 FPGA的基本结构,其中包含3×3的逻辑单元CLB、数据通道、输入模块,通过控制逻辑单元CLB 的连接方式和工作状态,从而完成FPGA整体工作性能的分配。每次工作时,通过FPGA中的 输入模块,将SRAM存储器中的数据读入CLB中。由于采用SRAM作为存储元件,每次加电启动的 时候,都需要通过外部读取数据。在有供电时,SRAM能够保存存储内容,但是一旦断电关机 后,SRAM中存储的内容也会自动消失。
所以,当FPGA断电后重启时,需要从外部接口重新读入SRAM的存储内容,只有当 SRAM中的写入状态完成后,FPGA中的内部状态寄存器的状态才能确定下来,重新恢复到上 次断电前的状态,然后FPGA才能重新开始正常工作,所以启动时间都比较长。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中双目测量装置断电后,重新启动时间长的缺陷, 提供一种双目测量装置来解决上述问题。
为了实现上述目的,本发明的技术方案如下:
一种双目测量方法,所述测量方法包括以下步骤:
步骤1.数据采集
采用两个不同方向对运动者进行运动数据采集;
步骤2.信息缓存
将采集到的运动数据缓存于SRAM中;
步骤3.数据处理
将缓存于SRAM中的运动数据发送至DSP中进行处理。
一种双目测量装置,所述双目测量装置包括两个摄像头;所述两个摄像头由FPGA驱动; 所述装置还包括SRAM和DSP;所述两个摄像头将采集到的数据缓存于所述SRAM中,然后 SRAM将数据再传输给DSP进行处理。
优选的,所述两个摄像头处于同一平面。
优选的,所述FPGA包括FPGA芯片,所述FPGA芯片包括多个逻辑单元,该逻辑单元包 括MRAM存储器,多个MRAM存储器构成了逻辑阵列,该MRAM存储器包括MTJ以及与其连接 的MOS场效应管,该MTJ具有固定磁层、薄绝缘隧道隔离层和自由磁层,该MTJ与一个运 算放大器的正向输入端连接,该运算放大器的负向输入端连接一个参考电阻,该参考电阻 的阻值介于该MTJ的高、低电阻值之间,由位线、数字线及字线输入的信号控制得到该MTJ 对应的等效电阻,该运算放大器比较该MTJ对应的等效电阻与该参考电阻,实现该逻辑单 元的逻辑功能。
优选的,该MTJ的低电阻是MTJ自由磁层的磁矩方向与固定磁层的磁矩方向平行时, MTJ具有的电阻。
优选的,该MTJ的高电阻是自由磁层的磁矩方向与固定磁层的磁矩方向反向平行时, MTJ具有的电阻。
本发明与现有技术相比,具有以下有益效果:
由上述本发明提供的技术方案可以看出,本发明是基于MRAM的FPGA芯片,MTJ中的数 据以一种磁性状态存储,不会像电荷那样会随着时间而泄漏,因此在断电的情况下,磁化 方向不再变化,数据就可以得到保持;并且在上电时,通过测量MTJ电阻来感应存储的 数据状态,自动将状态“记忆”起来,FPGA快速恢复上次断电前的状态,进入正常工作, 缩短了启动时间。
附图说明
图1为现有技术的基于SRAM的FPGA器件结构示意图;
图2为本发明的基本型MRAM存储器剖面结构示意图;
图3为本发明的FPGA芯片结构示意图;
图4为本发明的FPGA芯片中MRAM与运算放大器的连接结构示意图;
图5为图4中运算放大器的结构示意图;
图6为发明的FPGA芯片管脚分配示意图。
具体实施方式
为使对本发明的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识,用以较佳的实施 例及附图配合详细的说明,说明如下:
本发明提供的一种双目测量方法,包括以下步骤:
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