[发明专利]一种基于升华法的转移石墨烯的方法有效
| 申请号： | 201510962569.0 | 申请日： | 2015-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN106904605B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 邓玉豪;王逸伦;张晓伟;戴伦;马仁敏 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C01B32/194 | 分类号： | C01B32/194 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨烯 支撑层 衬底 升华物质 有机太阳能电池 微纳电子器件 致密 热释放胶带 有机传感器 升华 能量存储 柔性电子 有机材料 有机纳米 平整性 热压印 升华法 无残胶 粘附性 电子学 残胶 凝华 去除 无损 加热 拓展 应用 | ||
1.一种转移石墨烯的方法，包括以下步骤：
1)加热易升华物质至一定温度，然后将长在初始基体上的石墨烯放置于易升华物质上方，易升华物质在石墨烯表面凝华形成致密的支撑层，所得结构为支撑层/石墨烯/初始基体，其中所述易升华物质选自下列物质中的一种：萘、蒽、樟脑、冰片和碘；
2)去除初始基体，得到支撑层/石墨烯的结构；
3)将支撑层/石墨烯的石墨烯表面与目标衬底直接接触，得到支撑层/石墨烯/目标衬底的结构；
4)通过升华去除支撑层，实现石墨烯从初始基体到目标衬底的转移。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)易升华物质加热的温度为40℃～600℃；易升华物质在石墨烯表面凝华时间为5s～60min。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)形成的支撑层厚度为50nm～1mm。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)采用刻蚀或劈裂的方法去除初始基体。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤2)采用刻蚀方法去除初始基体，具体过程是：将支撑层/石墨烯/初始基体置于初始基体刻蚀液中，待初始基体刻蚀完成，再用去离子水漂洗干净，所得结构为支撑层/石墨烯。
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤2)刻蚀初始基体采用化学腐蚀法或电化学腐蚀法。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4)支撑层的去除是在室温下自然升华，或者通过加热和/或减压操作加快升华。
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