[发明专利]一种基于静电场疏通血管栓塞的装置

说明书

技术领域

本发明属于物理医疗器械领域，具体涉及一种基于静电场疏通血管栓塞的装置。

背景技术

血管栓塞是血管内血液流动显著或完全被阻塞的一种心血管疾病。血管栓塞是由血管内脂肪、纤维或钙化沉积物沿血管内壁的逐渐沉积所造成的。

血管栓塞的治疗方法包括药物治疗与物理治疗两种方法。药物治疗是通过引起人体内一系列生物化学反应使血栓溶解的一种方法。药物治疗对血管栓塞具有一定的疗效，但其也具有一定的弊端。弊端之一是对于完全的血管栓塞，药物治疗只能使其软化，并不能彻底清除；另一个弊端是药物治疗具有一定的不可控性，因此会有一定的副作用，甚至造成新的医源性疾病。

血管栓塞的物理治疗方法包括基于导管的介入疗法和手术方法。在基于导管的介入疗法中，首先产生穿过血管栓塞的初始小通路，随后利用气囊血管成形术将小通路径向扩张，使其直径扩张至与栓塞前血管的原始直径相等，从而使被栓塞的血管重新通畅。介入治疗中的初始小通路是通过将称为导向线的专用线引入到与栓塞接近的血管中并使其向前穿过栓塞来产生的。然而，导向线在穿过栓塞的过程中极有可能发生偏离，致使其可能穿透血管壁，这是因为整个栓塞的组成是非常不均匀的，所以采用该种方法治疗血管栓塞具有一定的风险。

手术方法是采用外部导管(一端连接栓塞近端的血管，另一端连接栓塞远端的血管)绕过血管栓塞从而使血流重新通畅的方法。虽然手术方法具有满意的治疗效果，但由于其具有一定的侵入性，导致患者需要较长的康复期，所以患者并不希望采取手术的方法来进行治疗。

就目前血管栓塞的治疗方法来看，介入疗法由于创伤小，恢复快较容易为患者所接受，但介入疗法又具有较高的风险。

发明内容

针对现有治疗方法中存在的缺陷，本发明提供了一种基于静电场疏通血管栓塞的装置，从而提高形成初始小通路的成功率，降低介入治疗方法的风险。

本发明的具体技术方案如下：

一种基于静电场疏通血管栓塞的装置，包括信息收集单元、控制单元、荷电颗粒、外驱静电场单元。

所述信息收集单元用于收集栓塞血管、荷电颗粒、N组电极的空间位置等信息，其中栓塞血管的空间位置信息可通过栓塞血管定位成像系统(如X光成像系统、血管造影系统等)、辅助定位框架(在整个治疗过程中一直安装在栓塞血管所在体表外)来获取。

所述荷电颗粒具有椭球形的壳体，在椭球形壳体内经过长轴的水平和竖直平面上分别设有一隔板，同时在壳体内一半充满带正电的粒子，另一半充满带负电的粒子，且所带正、负电荷量相等，带电粒子在外驱静电场的作用下作定向运动，推动隔板，从而带动了荷电颗粒壳体的运动。壳体和隔板都是由绝缘且与人体不产生排异反应的材料制成。为了增强荷电颗粒在旋转时穿透血栓的能力，可在壳体的表面设置增强穿透的凸起，具体优选在壳体长轴和短轴的两端分别设有螺纹。

所述荷电颗粒的外观为椭球形，椭球形的外观既有利于荷电颗粒在血管中的运动，且不会损伤血管壁。本发明中，荷电颗粒内部设置两块隔板，在某些情况下，可允许采用三块或三块以上的隔板。

所述外驱静电场单元是由两个规格相同、安装有N组电极、且用绝缘材料制成的半环柱形构件组成。每组电极均包括A、B、C、D四个电极，即第1组电极包括A₁、B₁、C₁、D₁四个电极，第2组电极包括A₂、B₂、C₂、D₂四个电极……，依次类推，第N组电极包括A_N、B_N、C_N、D_N四个电极。其中A、B电极均匀分布在一个半环柱形构件上，C、D电极均匀分布在另一个半环柱形构件上。在对栓塞血管疏通的过程中，两个半环柱形构件包围在栓塞血管所在体表外且每组电极的A电极正对C电极形成一个配对电极，B电极正对D电极形成另一个配对电极。配对电极间电压可通过一个直流电源提供，电压大小可调，在不永久伤害人体健康的情况下，电压尽可能大，配对电极间可产生足够大的电场强度，使荷电颗粒加速平动和转动。