[发明专利]具有抗溅射损伤和抗氧化性的高热稳定性极紫外多层膜

说明书

技术领域

本发明属于极紫外光刻技术领域，具体涉及一种具有抗溅射损伤和抗氧化性的高热稳定性极紫外多层膜。

背景技术

极紫外光刻(ExtremeUltravioletLithography，EUVL)技术是使用EUV波段，主要是13.5nm波段，进行光刻的微纳加工技术。目前，EUVL技术已经能够实现7nm线宽的刻蚀工艺，并具备进一步缩小刻蚀线宽的可能性。这在大规模集成电路制造领域具有重要意义，能够实现更大密度的元件集成，以及更低的能耗。

极紫外光刻使用波长为10-14nm光源照明，由于几乎所有已知光学材料在这一波段都具有强吸收，无法采用传统的折射式光学系统，所以极紫外光刻系统的照明系统、掩模和投影物镜均采用反射式设计，其反射光学元件需镀有周期性多层膜以提高反射率。极紫外光刻系统一般采用激光等离子体光源，激光等离子体光源的原理是采用高强度的激光轰击靶材产生等离子，从而辐射出极紫外光。

激光等离子体光源辐射出的极紫外光需要采用镀有极紫外多层膜的收集镜进行收集，而收集镜上的极紫外多层膜靠近激光等离子体，需要承受极其恶劣的使用环境。首先，为降低轰击靶材产生的碎屑在极紫外光收集镜上的沉积速率，一般要对收集镜进行加热，这要求收集镜上多层膜必须承受高于400℃的温度。其次，从激光等离子体溅射出来的高能粒子不断轰击多层膜表面，会对多层膜表面产生刻蚀和剥离作用。再次，在强极紫外辐照条件下，多层膜表面附着的水汽所导致的多层膜表面氧化也十分严重。为适应上述恶劣的使用环境，需研制一种具有抗溅射损伤和抗氧化性能的高热稳定性极紫外多层膜。

现有技术中，为了使多层膜表面具备抗氧化性，一般在普通Mo/Si多层膜表面镀制Ru、TiO₂、Nb₂O₃等保护层，但这些保护层的抗高能粒子溅射损伤能力不甚理想。而为达到多层膜表面抗溅射损伤的目的，一般在普通Mo/Si多层膜表面镀制TiN、CrN等保护层，但这些保护层的抗氧化能力又无法满足要求。现有技术中，为达到阻止在高温下Mo-Si间相互扩散的效果，需在Mo/Si多层膜膜层间加入防扩散的阻挡层，常用的阻挡层材料有C、SiC、B₄C、BN、Mo₂C、SiO₂、Si₃N₄等，但这些阻挡层材料要么热稳定性达不到要求，要么因阻挡层本身吸收过大而使多层膜初始反射率相对于Mo/Si多层膜降低太大。

发明内容

本发明的目的是解决现有技术中极紫外多层膜无法兼备抗溅射损伤、抗氧化性能、高热稳定性、较好的反射率的技术问题，提供一种具有抗溅射损伤和抗氧化性的高热稳定性极紫外多层膜。

本发明解决上述技术问题采用的技术方案如下。

具有抗溅射损伤和抗氧化性的高热稳定性极紫外多层膜，主要由从下至上依次设置在基底上的周期层和表面保护层组成，所述周期层由从下至上依次排列的Si层、第一阻挡层、Mo层、第二阻挡层组成；

所述表面保护层的材料为Ti、Al、N三种元素按摩尔比(0.5-1):(0.5-1):1组成的化合物。

进一步的，所述第一阻挡层和第二阻挡层的材料均为B、C、N三种元素按摩尔比2.5:0.5:(0.25-1)组成的化合物。

进一步的，所述第一阻挡层和第二阻挡层通过反应磁控溅射沉积法制备，溅射靶为B₄C靶，反应气体为N₂气。

进一步的，所述表面保护层的厚度为2-4nm。

进一步的，所述表面保护层由反应磁控溅射沉积法制备，溅射靶为Ti-Al合金靶，溅射气体为N₂气。

进一步的，所述第一阻挡层的厚度为0.7-0.9nm。

进一步的，所述第二阻挡层的厚度为0.3-0.5nm。

进一步的，所述周期层的周期数为40-60。

进一步的，所述周期层的每个周期的厚度为7nm。

与现有技术相比，本发明的有益效果为：