[发明专利]一种图像传感器芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器芯片的制造方法，其特征在于，包括：

提供原始晶圆，所述原始晶圆在完成制造工艺后可形成多个芯片单元，每个芯片单元包括像素区和逻辑区，每个像素区包括多个像素单元，每个像素单元包括多个像素，所述原始晶圆包括单晶硅基底层及位于单晶硅基底层上的二氧化硅层；

刻蚀间隔像素的二氧化硅层，形成多个间隔排布的第一次凹槽区；

在每个第一次凹槽区中形成单晶硅层；

刻蚀剩余像素的二氧化硅层，形成多个间隔排布的第二次凹槽区；

在每个第二次凹槽区中形成单晶硅层；

其中，像素之间剩余的二氧化硅层作为深沟道隔离。

2.如权利要求1所述的图像传感器芯片的制造方法，其特征在于，还包括：

刻蚀每个像素单元中部分厚度的深沟道隔离及其两侧部分厚度的单晶硅层，形成多个第三次凹槽区。

3.如权利要求2所述的图像传感器芯片的制造方法，其特征在于，还包括：

刻蚀相邻像素单元间部分厚度的深沟道隔离及其两侧部分厚度的单晶硅层，形成多个第四次凹槽区。

4.如权利要求3所述的图像传感器芯片的制造方法，其特征在于，还包括：在每个第三次凹槽区中填充单晶硅，形成浮置扩散区。

5.如权利要求3所述的图像传感器芯片的制造方法，其特征在于，还包括：在每个第四次凹槽区中填充二氧化硅，形成宽隔离。

6.如权利要求1～5中任一项所述的图像传感器芯片的制造方法，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为2μm～5μm。

7.如权利要求1～5中任一项所述的图像传感器芯片的制造方法，其特征在于，通过外延生长工艺在每个第一次凹槽区中形成单晶硅层；通过外延生长工艺在每个第二次凹槽区中形成单晶硅层。

8.如权利要求7所述的图像传感器芯片的制造方法，其特征在于，在每个第一次凹槽区中形成的单晶硅层及在每个第二次凹槽区中形成的单晶硅层均为P型掺杂单晶硅层或者均为N型掺杂单晶硅层。

9.如权利要求1～5中任一项所述的图像传感器芯片的制造方法，其特征在于，还包括：在每个像素单元中形成传输栅、金属接触孔及金属布线。

10.一种图像传感器芯片，其特征在于，所述图像传感器芯片由如权利要求1～9中任一项所述的图像传感器芯片的制造方法制成。