[发明专利]存储阵列、存储对象逻辑关系的存储芯片及方法有效
| 申请号: | 201510960374.2 | 申请日: | 2015-12-18 |
| 公开(公告)号: | CN105632551B | 公开(公告)日: | 2018-09-25 |
| 发明(设计)人: | 宋三年;陈小刚;宋志棠;李喜;陈后鹏 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号: | G11C11/54 | 分类号: | G11C11/54;G06N3/063 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
| 地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 存储 阵列 对象 逻辑 关系 芯片 方法 | ||
1.一种存储阵列,其特征在于,所述存储阵列至少包括:
具有相同数量且分别位于行方向和列方向的第一引出线和第二引出线,对第一引出线及第二引出线分别编号,不同编号的第一引出线和第二引出线之间分别连接一存储单元,相同编号的第一引出线和第二引出线之间分别连接一可控开关;其中,
所述存储单元包括串联的变阻型二端器件和选通二极管,所述选通二极管由第一引出线向第二引出线正向导通、由第二引出线向第一引出线反向截止;
所述可控开关在双向截止和由第二引出线向第一引出线单向导通的两种状态间切换。
2.根据权利要求1所述的存储阵列,其特征在于:所述变阻型二端器件在电脉冲信号作用下至少能在2种阻值状态间转变。
3.根据权利要求1所述的存储阵列,其特征在于:所述变阻型二端器件在电脉冲信号作用下,根据激励电信号的强度、波形不同,阻值可以在最高阻值和最低阻值之间变化,其中,所述最高阻值至少比所述最低阻值高一个数量级。
4.一种存储对象逻辑关系的存储芯片,其特征在于,所述存储对象逻辑关系的存储芯片至少包括:
接口模块、控制模块、驱动模块、第一译码器、第二译码器、以及如权利要求1~3任意一项所述的存储阵列;
所述接口模块用于数据的输入和输出;
所述控制模块与所述接口模块、所述驱动模块及所述第一译码器相连,获取输入的指令并产生相应的控制信号;
所述驱动模块与所述控制模块及所述第二译码器相连,根据所述控制模块输出的控制信号产生写电流、擦电流或读电流;
所述第一译码器与所述控制模块及所述存储阵列的第一引出线相连,受所述控制模块的控制选通相应的第一引出线;
所述第二译码器与所述驱动模块及所述存储阵列的第二引出线相连,受所述控制模块的控制选通相应第二引出线;
所述存储阵列分别连接所述控制模块、所述第一译码器以及所述第二译码器,受所述控制模块的控制关断所有可控开关,并向选通的第一引出线和第二引出线之间的存储单元写入逻辑关系值;或受所述控制模块的控制开启所有可控开关,并从选通的第一引出线和第二引出线之间读出逻辑关系值。
5.根据权利要求4所述的存储对象逻辑关系的存储芯片,其特征在于:选通的第一引出线代表作为条件的第一对象,选通的第二引出线代表作为结果的第二对象,所述逻辑关系值为第一对象成立时直接导致第二对象成立的概率值,相同编号的第一引出线和第二引出线对应同一对象。
6.一种存储对象逻辑关系的存储方法,其特征在于,所述存储对象逻辑关系的存储方法采用如权利要求1~3任意一项所述的存储阵列,至少包括以下步骤:
写入操作:
输入需要写入的信息,包括第一对象,第二对象,以及第一对象和第二对象的逻辑关系值;
将存储阵列中的可控开关全部关断;
选通第一对象对应的第一引出线,选通第二对象对应的第二引出线;
产生与第一对象和第二对象的逻辑关系值相对应的写电流,并将所述写电流施加到被选通的第一引出线和第二引出线之间的存储单元上;
读出操作:
输入需要读出关系的对象组,所述对象组包括第一对象和第二对象;
将存储阵列中的可控开关全部连通;
选通第一对象对应的第一引出线,选通第二对象对应的第二引出线;
产生读电压或电流,并将所述读电压或电流施加到被选通的第一引出线和第二引出线上,读取被选通的第一引出线和第二引出线之间的电阻值;
将读出的电阻值转化为相应的逻辑关系值后输出。
7.根据权利要求6所述的存储对象逻辑关系的存储方法,其特征在于:所述第一对象为条件,所述第二对象为结果,所述逻辑关系值为第一对象成立时直接导致第二对象成立的概率值。
8.根据权利要求6所述的存储对象逻辑关系的存储方法,其特征在于:在写入操作中,写入的逻辑关系值将原逻辑关系值覆盖;或在原逻辑关系值的基础上叠加,以此增强第一对象与第二对象之间的逻辑关系。
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