[发明专利]一种热处理用衬底、衬底的制备方法和应用有该衬底的热处理装置

权利要求书

1.一种衬底，其特征在于：包括由对辐照加热源的辐照波长基本无吸收的材料制成的基板(1)、由对加热源辐射波具有高吸收率和吸收系数的材料制成的吸收层(2)、用于阻挡所述基板(1)或吸收层(2)中所包含离子、原子向材料样品迁移的扩散阻挡层(3)，所述吸收层(2)和所述扩散阻挡层(3)叠放设置在所述基板(1)上。

2.根据权利要求1所述的衬底，其特征在于：所述吸收层(2)为一整体单元或者包括多个独立的吸收单元(4)，多个所述吸收单元(4)间隔排列设置在所述基板(1)上。

3.根据权利要求1或2所述的衬底，其特征在于：所述扩散阻挡层(3)为一整体单元或者包括多个独立的阻挡单元(5)，每个阻挡单元(5)对应一个吸收单元(4)叠放设置。

4.根据权利要求1所述的衬底，其特征在于：所述基板(1)至少设置有一层基板叠层，所述吸收层(2)至少设置有一层吸收叠层，所述扩散阻挡层(3)至少设置有一层阻挡叠层。

5.根据权利要求4所述的衬底，其特征在于：每层所述基板叠层由硅片、钠钙玻璃、石英玻璃、刚玉、硼硅玻璃、蓝宝石、红宝石、硫化玻璃中的一种或者至少两种组合的材料制成；

每层吸收叠层由Si、a-Si、Ge、SiC、SiGe、a-C、GaAs、Ti、SiO₂、Au、Ag、W、Mo、Ti、Cr、Pt、ZnO、TiO₂、Cr₂O₃、Al₂O₃中的一种或者至少两种组合的材料制成；

每层阻挡叠层由Ti基、Ta基、W基、Zr基、Pt基、Cr基、Mo基、Co基的氮化物、氧化物、硅化物中的一种或者至少两种组合的材料制成。

6.根据权利要求1所述的衬底，其特征在于：所述基板(1)厚度为0.1mm～5mm；所述吸收层(2)厚度为10nm～10μm，所述扩散阻挡层(3)厚度为10nm～10μm。

7.一种衬底制备的方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤一、提供对辐照加热源的辐照波长基本无吸收的材料制成的基板(1)；

步骤二、根据吸收层(2)和扩散阻挡层(3)在基板(1)上的叠放顺序，分别在基板(1)上按照吸收层(2)的分布设计沉积吸收层(2)、按照扩散阻挡层(3)的分布设计沉积扩散阻挡层(3)。

8.根据权利要求7所述的衬底制备的方法，其特征在于：所述步骤一中，对基板(1)的表面进行抛光、喷砂、或制绒预处理，在所述吸收层(2)沉积前，对基板(1)进行清洗处理；清洗处理后在预处理后的基板(1)表面上沉积所述吸收层(2)和扩散阻挡层(3)。

9.一种热处理装置，其特征在于：包括如权利要求1所述的衬底(100)，还包括具有容置腔的本体(6)和设置在所述本体(6)的容置腔内的加热源(7)，所述衬底设置在所述本体(6)的容置腔内。

10.根据权利要求9所述的热处理装置，其特征在于：所述加热源(7)为光辐照元件, 所述光辐照元件为卤素灯、紫外线、激光、同步辐射X射线光源中的一种或者至少两种的组合。